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1. (WO2015038402) ELECTRO-STATIC DISCHARGE PROTECTION FOR INTEGRATED CIRCUITS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/038402    International Application No.:    PCT/US2014/054104
Publication Date: 19.03.2015 International Filing Date: 04.09.2014
IPC:
H01L 27/02 (2006.01), H03F 1/52 (2006.01), H02H 9/04 (2006.01)
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventors: YOUSSEF, Ahmed Abdel Monem; (US).
GUDEM, Prasad Srinivasa Siva; (US).
CHANG, Li-Chung; (US).
ABDEL GHANY, Ehab Ahmed Sobhy; (US)
Agent: TOLER, Jeffrey G.; 8500 Bluffstone Cove, Suite A201 Austin, Texas 78759 (US)
Priority Data:
14/024,833 12.09.2013 US
Title (EN) ELECTRO-STATIC DISCHARGE PROTECTION FOR INTEGRATED CIRCUITS
(FR) PROTECTION CONTRE LES DÉCHARGES ÉLECTROSTATIQUES POUR CIRCUITS INTÉGRÉS
Abstract: front page image
(EN)Techniques for improving electro-static discharge (ESD) performance in integrated circuits (IC's). In an aspect, one or more protective diodes are provided between various nodes of the IC. For example, protective diode(s) may be provided between the drain and gate of an amplifier input transistor, and/or between the drain and ground, etc. In certain exemplary embodiments, the amplifier may be a cascode amplifier. Further aspects for effectively dealing with ESD phenomena are described.
(FR)La présente invention concerne des techniques pour améliorer les performances contre les décharges électrostatiques (ESD) dans des circuits intégrés (IC). Dans un aspect, une ou plusieurs diodes de protection sont disposées entre différents nœuds de l'IC. Par exemple, une/des diode(s) de protection peuvent être disposées entre le drain et la grille d’un transistor d’entrée d’un amplificateur, et/ou entre le drain et la masse, etc. Dans certains modes de réalisation exemplaires, l’amplificateur peut être un amplificateur en cascade. L’invention concerne en outre d’autres aspects pour traiter efficacement le phénomène d’ESD.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)