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1. (WO2015037692) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/037692    International Application No.:    PCT/JP2014/074165
Publication Date: 19.03.2015 International Filing Date: 08.09.2014
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/365 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventors: YAMAZAKI, Shunpei; (JP)
Priority Data:
2013-190136 13.09.2013 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A transistor having high field-effect mobility is provided. A transistor having stable electrical characteristics is provided. A transistor having low off-state current (current in an off state) is provided. Alternatively, a semiconductor device including the transistor is provided. The semiconductor device includes a first insulating film, an oxide semiconductor film over the first insulating film, a second insulating film over the oxide semiconductor film, and a conductive film overlapping with the oxide semiconductor film with the first insulating film or the second insulating film provided between the oxide semiconductor film and the conductive film. The composition of the oxide semiconductor film changes continuously between the first insulating film and the second insulating film.
(FR)La présente invention concerne un transistor présentant une mobilité d'effet de champ élevée. L'invention concerne un transistor présentant des caractéristiques électriques stables. L'invention concerne un transistor présentant un faible courant dans l'état bloqué (courant dans un état bloqué). En variante, l'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant le transistor. Le dispositif à semi-conducteur comprend un premier film isolant, un film d'oxyde semi-conducteur sur le premier film isolant, un second film isolant sur le film d'oxyde semi-conducteur, et un film conducteur se chevauchant avec le film d'oxyde semi-conducteur, le premier film isolant ou le second film isolant étant situé entre le film d'oxyde semi-conducteur et le film conducteur. La composition du film d'oxyde semi-conducteur varie de manière continue entre le premier film isolant et le second film isolant.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)