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1. (WO2015037467) PATTERN FORMATION METHOD, ELECTRONIC-DEVICE PRODUCTION METHOD, AND PROCESSING AGENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/037467    International Application No.:    PCT/JP2014/072960
Publication Date: 19.03.2015 International Filing Date: 01.09.2014
IPC:
G03F 7/40 (2006.01), G03F 7/038 (2006.01), G03F 7/039 (2006.01), G03F 7/32 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventors: ENOMOTO Yuichiro; (JP).
UEBA Ryosuke; (JP).
SHIRAKAWA Michihiro; (JP).
FURUTANI Hajime; (JP).
GOTO Akiyoshi; (JP).
KOJIMA Masafumi; (JP)
Agent: TAKAMATSU Takeshi; (JP)
Priority Data:
2013-190735 13.09.2013 JP
Title (EN) PATTERN FORMATION METHOD, ELECTRONIC-DEVICE PRODUCTION METHOD, AND PROCESSING AGENT
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET AGENT DE TRAITEMENT
(JA) パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、処理剤
Abstract: front page image
(EN)Provided is a pattern formation method which includes: (1) a step in which a film is formed using an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition including a resin having a polarity which increases as a result of the action of acid, and a solubility with respect to an organic solvent-containing development solution, which decreases as a result of the action of acid; (2) a step in which the film is exposed to active light or radiation; (3) a step in which the film is developed using the organic solvent-containing development solution, to form a pattern to be processed; and (4) a step in which a processing agent including a compound (x) provided with a primary amino group and/or a secondary amino group is applied to the pattern to be processed, to obtain a processed pattern. By employing this pattern formation method and applying the processing agent to the pattern (i.e. performing a shrinking step), superior pattern miniaturization can be achieved. Accordingly, provided is a pattern formation method which achieves superior pattern miniaturization, and thus is capable of reliably forming line-and-space patterns having ultrafine space widths (such as equal to or less than 60 nm), and is capable of forming such line-and-space patterns while achieving excellent roughness performance after application of the shrinking step. Also provided are: the processing agent used in said pattern formation method; and an electronic-device production method using said pattern formation method.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de motif qui comprend : (1) une étape de formation d'un film au moyen d'une composition de résine active photosensible ou sensible aux rayonnements comprenant une résine ayant une polarité qui augmente du fait de l'action de l'acide, et une solubilité concernant une solution de développement contenant un solvant organique qui diminue du fait de l'action de l'acide ; (2) une étape d'exposition du film à la lumière ou au rayonnement actif ; (3) une étape de développement du film au moyen de la solution de développement contenant un solvant organique de façon à former un motif à traiter ; et (4) une étape au cours de laquelle un agent de traitement comprenant un composé (x) pourvu d'un groupe amino primaire et/ou d'un groupe amino secondaire est appliqué sur le motif à traiter afin d'obtenir un motif traité. À l'aide de ce procédé de formation de motif et d'application de l'agent de traitement sur le motif (c.-à-d. réalisation d'une étape de retrait), on obtient une meilleure miniaturisation du motif. En conséquence, le procédé de formation de motif, qui permet de réaliser une meilleure miniaturisation du motif, et qui est donc capable de former de manière fiable des motifs en ligne et dans l'espace ayant des largeurs d'espace ultrafines (à savoir inférieures ou égales à 60 nm), est capable de former ces motifs en ligne et dans l'espace tout en obtenant une excellente performance de rugosité après application de l'étape de retrait. L'invention concerne également l'agent de traitement utilisé dans ledit procédé de formation de motif ; et un procédé de production de dispositif électronique utilisant ledit procédé de formation de motif.
(JA)(1)酸の作用により極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、膜を形成する工程、(2)前記膜を、活性光線又は放射線により露光する工程、(3)前記膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像して被処理パターンを形成する工程、及び、(4)前記被処理パターンに対し、1級アミノ基及び2級アミノ基の少なくともいずれかを有する化合物(x)を含む処理剤を作用させて、処理済パターンを得る工程を含む、パターン形成方法により、パターンに処理剤を作用させる(いわゆる、シュリンク工程を実施する)ことによりパターンの微細化を図るパターン形成方法において、上記パターンの微細化に優れることにより、超微細のスペース幅(例えば60nm以下)を有するラインアンドスペースパターンを確実に形成でき、かつ、該ラインアンドスペースパターンを、シュリンク工程が適用された後におけるラフネス性能が優れた状態で形成可能なパターン形成方法及びそれに用いられる処理剤、並びに、上記パターン形成方法を使用する電子デバイスの製造方法を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)