WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2015037462) PRODUCTION METHOD FOR SILICON OXIDE SINTERED BODY, AND SILICON OXIDE SINTERED BODY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/037462    International Application No.:    PCT/JP2014/072875
Publication Date: 19.03.2015 International Filing Date: 01.09.2014
IPC:
C04B 35/14 (2006.01), C23C 14/24 (2006.01)
Applicants: KONICA MINOLTA, INC. [JP/JP]; 2-7-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1007015 (JP)
Inventors: HAYASHI, Kenji; (JP)
Agent: KOYO INTERNATIONAL PATENT FIRM; 17F., Tokyo Takarazuka Bldg., 1-1-3, Yurakucho, Chiyoda-ku, Tokyo 1000006 (JP)
Priority Data:
2013-188961 12.09.2013 JP
Title (EN) PRODUCTION METHOD FOR SILICON OXIDE SINTERED BODY, AND SILICON OXIDE SINTERED BODY
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION POUR CORPS FRITTÉ D'OXYDE DE SILICIUM ET CORPS FRITTÉ D'OXYDE DE SILICIUM
(JA) 酸化ケイ素の焼結体の製造方法及び酸化ケイ素の焼結体
Abstract: front page image
(EN)The present invention addresses the problem of providing a silicon oxide sintered body and a production method for a silicon oxide sintered body, the production method being capable of suppressing film defects caused by splashing and of obtaining a silicon oxynitride vapor-deposited film that has a high rate of nitridization and excellent gas barrier characteristics. In the present invention, a production method for a silicon oxide sintered body is a production method for a sintered body of a silicon oxide that has a structure represented by the general formula SiOx. The production method is characterized by producing silicon oxide particles wherein the x that represents the atomic composition ratio of oxygen to silicon in the general formula SiOx is within a range of 1.05-1.27, by molding the silicon oxide particles into a tablet shape and firing, and by obtaining a silicon oxide sintered body wherein x is within a range of 1.05-1.27 for the entire sintered body from surface to interior.
(FR)La présente invention a pour objet un corps fritté d'oxyde de silicium et un procédé de production pour un corps fritté d'oxyde de silicium, le procédé de production permettant de supprimer des défauts de film provoqués par des éclaboussures et d'obtenir un film d'oxynitrure de silicium déposé en phase vapeur qui a un taux élevé de nitruration et d'excellentes caractéristiques de barrière aux gaz. Dans la présente invention, le procédé de production pour un corps fritté d'oxyde de silicium est un procédé de production pour un corps fritté d'un oxyde de silicium qui a une structure représentée par la formule générale SiOx. Le procédé de production est caractérisé par la production de particules d'oxyde de silicium dans lesquelles le x qui représente le rapport atomique de composition de l'oxygène au silicium dans la formule générale SiOx est dans une plage de 1,05-1,27, par le moulage des particules d'oxyde de silicium en une forme de comprimé et leur cuisson et par l'obtention d'un corps fritté d'oxyde de silicium dans lequel x est dans la plage de 1,05-1,27 pour tout le corps fritté de la surface à l'intérieur.
(JA) 本発明の課題は、スプラッシュによる膜欠陥を抑えて、窒化率が高く、ガスバリアー性に優れた酸窒化ケイ素の蒸着膜が得られる酸化ケイ素の焼結体の製造方法及び酸化ケイ素の焼結体を提供することである。 本発明の酸化ケイ素の焼結体の製造方法は、一般式SiOで表される構造を有する酸化ケイ素の焼結体の製造方法であって、前記一般式SiOにおいてケイ素に対する酸素の原子組成比を表すxが、1.05~1.27の範囲内にある酸化ケイ素粒子を製造し、前記酸化ケイ素粒子をタブレット形状に成形して焼成し、表面から内部までの焼結体全体において、前記xが1.05~1.27の範囲内にある酸化ケイ素の焼結体を得ることを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)