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1. (WO2015037403) SUBSTRATE PROCESSING METHOD, COMPUTER STORAGE MEDIUM, AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/037403    International Application No.:    PCT/JP2014/071767
Publication Date: 19.03.2015 International Filing Date: 20.08.2014
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), B82Y 40/00 (2011.01), G03F 7/20 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventors: YAMAUCHI, Takashi; (JP).
KAWAKAMI, Shinichiro; (JP).
OOKOUCHI, Atsushi; (JP).
ICHINOMIYA, Hiroshi; (JP).
NISHIHATA, Hiroshi; (JP).
YOSHIHARA, Kousuke; (JP)
Agent: KANEMOTO, Tetsuo; (JP)
Priority Data:
2013-187750 10.09.2013 JP
Title (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD, COMPUTER STORAGE MEDIUM, AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, SUPPORT DE STOCKAGE INFORMATIQUE ET SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
Abstract: front page image
(EN)A method for processing a substrate using a block copolymer including a hydrophilic polymer and a hydrophobic polymer, wherein a resist pattern is formed on a neutral layer, a wafer after the resist pattern is formed is coated with the block copolymer, the block copolymer is phase-separated into the hydrophilic polymer and the hydrophobic polymer, the phase-separated block copolymer is irradiated with an energy beam, a polar organic solvent is supplied, and dry gas is discharged to the substrate to eliminate the polar organic solvent from the surface of the substrate.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de traiter un substrat à l'aide d'un copolymère à blocs comportant un polymère hydrophile et un polymère hydrophobe, un motif de réserve étant formé sur une couche neutre. Une fois que le motif de réserve est formé, une tranche est recouverte avec le copolymère à blocs, le copolymère à blocs est séparé en phases pour obtenir le polymère hydrophile et le polymère hydrophobe, le copolymère à blocs à phases séparées est irradié avec un faisceau d'énergie, un solvant organique polaire est fourni, et un gaz sec est émis vers le substrat pour éliminer le solvant organique polaire de la surface du substrat.
(JA) 親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する方法であり、中性層上にレジストパターンを形成し、レジストパターン形成後のウェハに対してブロック共重合体を塗布し、ブロック共重合体を親水性ポリマーと疎水性ポリマーに相分離させ、次いで相分離したブロック共重合体にエネルギー線を照射し、その後極性有機溶剤を供給し、次いで基板に対して乾燥ガスを吐出して当該基板上から極性有機溶剤を排出する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)