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1. (WO2015037332) FARADAY ROTATOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/037332    International Application No.:    PCT/JP2014/069302
Publication Date: 19.03.2015 International Filing Date: 22.07.2014
IPC:
G02B 27/28 (2006.01), G02F 1/09 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO METAL MINING CO., LTD [JP/JP]; 11-3, Simbashi 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1058716 (JP)
Inventors: NAKAMURA, Nobuo; (JP)
Agent: UEDA, Shozo; (JP)
Priority Data:
2013-187018 10.09.2013 JP
Title (EN) FARADAY ROTATOR
(FR) ROTATEUR DE FARADAY
(JA) ファラデー回転子
Abstract: front page image
(EN)[Problem] To provide a Faraday rotator which is capable of preventing the degradation of the isolation function in an optical isolator even when the rotator is used in a high-powered laser having a wavelength of 1.1 µm or less and a power of 1 W or more, and which can be produced with high efficiency. [Solution] The Faraday rotator is constituted by: a nonmagnetic garnet substrate (4); a bismuth-substituted rare earth iron garnet film (1) grown by a liquid phase epitaxial method on both surfaces of the nonmagnetic garnet substrate; and a heat radiating sapphire crystal substrate (2) adhered to each surface of the bismuth-substituted rare earth iron garnet film. The absorption coefficient of the bismuth-substituted rare earth iron garnet film with respect to light having a wavelength of 1.06 µm is 9 cm-1 or less, and the difference in film thickness between the bismuth-substituted rare earth iron garnet films grown on both surfaces of the nonmagnetic garnet substrate is 10 µm or less.
(FR)Le problème à résoudre dans le cadre de la présente invention consiste à fournir un rotateur de Faraday susceptible de prévenir la dégradation de la fonction d'isolation dans un isolateur optique, même quand le rotateur est utilisé dans un laser de grande puissance ayant une longueur d'onde inférieure ou égale à 1,1 µm et une puissance supérieure ou égale à 1 W, et susceptible d'être produit avec une grande efficacité. Ainsi, selon la présente invention, le rotateur de Faraday est-il constitué : d'un substrat en grenat non magnétique (4) ; d'un film en grenat à base de fer et de terre rare et à substitution bismuth (1) développé selon un procédé de croissance épitaxiale en phase liquide sur les deux surfaces du substrat en grenat non magnétique ; et d'un substrat en cristal de saphir à rayonnement de chaleur (2) collé à chaque surface du film en grenat à base de fer et de terre rare et à substitution bismuth. Le coefficient d'absorption du film en grenat à base de fer et de terre rare et à substitution bismuth par rapport à une lumière ayant une longueur d'onde de 1,06 µm est inférieur ou égal à 9 cm-1. La différence entre les épaisseurs des deux films en grenat à base de fer et de terre rare et à substitution bismuth développés sur les deux surfaces du substrat en grenat non magnétique est inférieure ou égale à 10 µm.
(JA)【課題】波長が1.1μm以下で、出力が1W以上の高出力レーザーに対し使用しても、光アイソレータにおけるアイソレーション機能の劣化が起こり難くかつ生産性にも優れたファラデー回転子を提供すること。 【解決手段】このファラデー回転子は、非磁性ガーネット基板4と、非磁性ガーネット基板の両面に液相エピタキシャル法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット膜1と、ビスマス置換型希土類鉄ガーネット膜の各表面に接着された放熱用サファイア結晶基板2とで構成され、波長1.06μmの光に対するビスマス置換型希土類鉄ガーネット膜の吸収係数が9cm-1以下で、かつ、非磁性ガーネット基板の両面に育成された上記ビスマス置換型希土類鉄ガーネット膜における膜厚の差が10μm以下であることを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)