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1. (WO2015037232) NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL, MANUFACTURING METHOD, AND MANUFACTURING APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/037232    International Application No.:    PCT/JP2014/004655
Publication Date: 19.03.2015 International Filing Date: 10.09.2014
Chapter 2 Demand Filed:    23.01.2015    
IPC:
C30B 29/38 (2006.01)
Applicants: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKYO UNIVERSITY OF AGRICULTURE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-8-1, Harumi-cho, Fuchu-shi, Tokyo 1838538 (JP)
Inventors: KOUKITU, Akinori; (JP).
KUMAGAI, Yoshinao; (JP).
MURAKAMI, Hisashi; (JP)
Agent: RYUKA IP LAW FIRM; 22F, Shinjuku L Tower, 1-6-1, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522 (JP)
Priority Data:
2013-188805 11.09.2013 JP
Title (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL, MANUFACTURING METHOD, AND MANUFACTURING APPARATUS
(FR) CRISTAL DE SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE NITRURE, PROCÉDÉ DE FABRICATION ET APPAREIL DE FABRICATION CORRESPONDANTS
(JA) 窒化物半導体結晶、製造方法および製造装置
Abstract: front page image
(EN) Provided is a nitride semiconductor crystal, the diameter of the crystal being at least 4 inches, the curvature radius of warping thereof being at least 100 m, and the concentration of impurities in the crystal being 1×1017/cm3 or less. Also provided is: a method for manufacturing a nitride semiconductor crystal for which the growth temperature of a GaN crystal is at least 1200°C, the method provided with a step for preparing a substrate, a step for supplying trihalogenated gallium gas at a partial pressure of 9.0×10-3 atm or greater onto the substrate, and a step for growing a GaN crystal on the substrate in the –C axis direction; or a method for manufacturing a nitride semiconductor crystal for which the growth temperature of an AlN crystal is at least 1400°C, the method provided with a step for preparing a substrate, a step for supplying trihalogenated aluminum gas at a partial pressure of 9.0×10-3 atm or greater onto the substrate, and a step for growing an AlN crystal on the substrate in the –C axis direction.
(FR) L'invention porte sur un cristal de semi-conducteur de type nitrure, le diamètre du cristal étant d'au moins 4 pouces, le rayon de courbure de gauchissement de ce dernier étant d'au moins 100 m et la concentration d'impuretés dans le cristal étant inférieure ou égale à 1×1017/cm3. L'invention porte également sur : un procédé de fabrication d'un cristal de semi-conducteur de type nitrure pour lequel la température de croissance d'un cristal de GaN est d'au moins 1200 °C, le procédé étant pourvu d'une étape consistant à préparer un substrat, d'une étape consistant à apporter du gallium trihalogéné gazeux à une pression partielle supérieure ou égale à 9,0×10-3 atm sur le substrat et d'une étape consistant à faire croître un cristal de GaN sur le substrat dans la direction de l'axe C ; ou un procédé de fabrication d'un cristal de semi-conducteur de type nitrure pour lequel la température de croissance d'un cristal d'AlN est d'au moins 1400 °C, le procédé étant pourvu d'une étape consistant à préparer un substrat, d'une étape consistant à apporter de l'aluminium trihalogéné gazeux à une pression partielle supérieure ou égale à 9,0×10-3 atm sur le substrat et d'une étape consistant à faire croître un cristal d'AlaN sur le substrat dans la direction de l'axe C.
(JA) 結晶の直径が4インチ以上、かつ、反りの曲率半径が100m以上であり、結晶の不純物濃度が1×1017/cm以下である窒化物半導体結晶を提供する。基板を用意する工程と、分圧が9.0×10-3atm以上である三ハロゲン化ガリウムガスを基板上に供給する工程と、基板上に、GaN結晶を-C軸方向に成長させる工程とを備え、GaN結晶の成長温度が1200℃以上である窒化物半導体結晶の製造方法、もしくは、基板を用意する工程と、分圧が9.0×10-3atm以上である三ハロゲン化アルミニウムガスを基板上に供給する工程と、基板上に、AlN結晶を-C軸方向に成長させる工程とを備え、AlN結晶の成長温度が1400℃以上である窒化物半導体結晶の製造方法を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)