WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2015037188) PRODUCTION METHOD FOR MIRROR POLISHED WAFERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/037188    International Application No.:    PCT/JP2014/004239
Publication Date: 19.03.2015 International Filing Date: 20.08.2014
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventors: HASHIMOTO, Hiromasa; (JP).
USAMI, Yoshihiro; (JP).
AOKI, Kazuaki; (JP).
OBA, Shigeru; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; (JP)
Priority Data:
2013-188172 11.09.2013 JP
Title (EN) PRODUCTION METHOD FOR MIRROR POLISHED WAFERS
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHES À POLI OPTIQUE
(JA) 鏡面研磨ウェーハの製造方法
Abstract: front page image
(EN)A production method for mirror polished wafers according to the present invention produces a plurality of mirror polished wafers and includes subjecting surfaces of a plurality of silicon wafers that are sliced from a silicon ingot to the following batch-style steps: a slicing-distortion removal step in which surface distortions that have occurred due to slicing are removed; an etching step in which distortions that have occurred in the slicing-distortion removal step are removed; and a polishing step for both surfaces, in which, subsequent to etching, both surfaces of the silicon wafers are mirror polished. The production method for mirror polished wafers is characterized in that silicon wafers to be processed batch-style in the polishing step for both surfaces are selected from amongst silicon wafers processed in the same batch in the slicing-distortion removal step, and the number of silicon wafers selected is the same as or an aliquot of the number of silicon wafers processed in the slicing-distortion removal step. Thus, the provided production method for mirror polished wafers enables the production of mirror polished wafers having favorable flatness.
(FR)La présente invention concerne un procédé de production de tranches à poli optique qui permet de produire une pluralité de tranches à poli optique et consiste à soumettre des surfaces d'une pluralité de tranches de silicium qui sont découpées à partir d'un lingot de silicium aux étapes suivantes par lots : une étape d'élimination de distorsion de découpage dans laquelle les distorsions de surface qui se sont produites en raison du découpage sont éliminées; une étape de gravure dans laquelle des distorsions qui se sont produites dans l'étape d'élimination de distorsion de découpage sont éliminées; et une étape de polissage des deux surfaces, dans laquelle, après la gravure, les deux surfaces des tranches de silicium sont dotées d'un poli optique. Le procédé de production de tranches à poli optique est caractérisé en ce que des tranches de silicium à traiter par lots dans l'étape de polissage des deux surfaces sont sélectionnées parmi des tranches de silicium traitées dans le même lot dans l'étape d'élimination de distorsion de découpage, et le nombre de tranches de silicium sélectionnées est le même que le nombre de tranches de silicium traitées dans l'étape d'élimination de distorsion de découpe ou une aliquote de celui-ci. Ainsi, le procédé de production fourni pour des tranches à poli optique permet la production de tranches à poli optique ayant une planéité avantageuse.
(JA) 本発明は、シリコンインゴットからスライスされた複数のシリコンウェーハに対し、スライスによって生じた表面の歪みを除去するスライス歪み除去工程と、スライス歪み除去工程で生じた歪みを除去するエッチング工程と、エッチング後のシリコンウェーハの両面を鏡面研磨する両面研磨工程をそれぞれバッチ式で実施して、複数の鏡面研磨ウェーハを製造する鏡面研磨ウェーハの製造方法であって、両面研磨工程においてバッチ式で処理するシリコンウェーハを、スライス歪み除去工程において同一バッチ内で処理したシリコンウェーハの中から選択し、該選択するシリコンウェーハの数をスライス歪み除去工程において処理したシリコンウェーハの数と同一数又はその約数となるようにすることを特徴とする鏡面研磨ウェーハの製造方法である。これにより、平坦度が良好な鏡面研磨ウェーハを製造できる鏡面研磨ウェーハの製造方法が提供される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)