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Pub. No.:    WO/2015/037072    International Application No.:    PCT/JP2013/074467
Publication Date: 19.03.2015 International Filing Date: 11.09.2013
H01L 23/28 (2006.01), H01L 23/29 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventors: SAKAMOTO Ken; (JP)
Agent: YOSHITAKE Hidetoshi; 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg., 4-70, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
Priority Data:
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a semiconductor device of a resin-encapsulating structure which can be formed with a relatively low cost and which has high insulation properties, as well as a manufacturing method for the same. In the present invention, a heat spreader (3) comprises a rounded surface (9) or a chamfered surface (29), which is to be a chamfered portion on the outer circumferential portion of the rear face thereof. A plurality of power elements (4) formed as chips are mounted via solder (28) on the surface of the heat spreader (3), andan insulating sheet portion (2) is provided on the rear face side of the heat spreader (3). The insulating sheet portion (2) is formed in a stacked structure of an insulating layer (2a) and a metal foil (2b), wherein the insulating layer (2a) which is provided in the upper layer adheres closely to the rear face of the heat spreader (3). Mold resin (1) is filled in a gap region (S2) between the rounded surface (9) and the insulating sheet portion (2).
(FR)La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur de structure à encapsulation de résine qui peut être formé à un coût relativement faible et qui a de bonnes propriétés d'isolation, ainsi qu'une méthode de fabrication de celui-ci. Dans la présente invention, un dissipateur de chaleur (3) comprend une surface arrondie (9) ou une surface chanfreinée (29), qui est une partie chanfreinée sur la partie circonférentielle extérieure de la face arrière de celui-ci. Une pluralité d'éléments de puissance (4) sous la forme de puces est montée par soudage (28) sur la surface du dissipateur de chaleur (3), et une partie feuille isolante (2) est située sur le côté de la face arrière du dissipateur de chaleur (3). La partie feuille isolante (2) est de la forme d'une structure empilée constituée d'une couche isolante (2a) et d'une feuille de métal (2b), la couche isolante (2a) qui est située dans la couche supérieure adhérant étroitement à la face arrière du dissipateur de chaleur (3). De la résine moulée (1) remplit une région interstice (S2) entre la surface arrondie (9) et la partie feuille isolante (2).
(JA) 本発明は、比較的低コストで形成することができ、高い絶縁性を有する樹脂封止構造の半導体装置及びその製造方法を得ることを目的とする。そして、本発明において、ヒートスプレッダ(3)は裏面の外周端部に面取り部となるダレ面(9)あるいはC面(29)を有している。ヒートスプレッダ(3)の表面上に複数のチップ化されたパワー素子(4)がはんだ(28)を介して搭載されており、ヒートスプレッダ(3)の裏面側に絶縁シート部(2)が設けられている。絶縁シート部(2)は絶縁層(2a)及び金属箔(2b)の積層構造で形成されており、上層に設けられる絶縁層(2a)がヒートスプレッダ(3)の裏面に密着されている。ダレ面(9)と絶縁シート部(2)との間の隙間領域(S2)にモールド樹脂(1)が充填されている。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)