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1. (WO2015036181) METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL INVOLVING DOPING BY ION IMPLANTATION AND THE DEPOSITING OF AN OUTDIFFUSION BARRIER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2015/036181 International Application No.: PCT/EP2014/066856
Publication Date: 19.03.2015 International Filing Date: 05.08.2014
IPC:
H01L 31/0216 (2014.01) ,H01L 21/265 (2006.01) ,H01L 31/068 (2012.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
Applicants: ION BEAM SERVICES[FR/FR]; ZI Peynier-Rousset rue Gaston Imbert prolongée 13790 Peynier, FR
Inventors: BOESCKE, Tim; DE
KANIA, Daniel; DE
SCHOELLHORN, Claus; DE
Agent: RENAUD-GOUD, Thierry; Renaud-Goud Conseil 5, rue de Montigny 13100 Aix-en-Provence, FR
Priority Data:
10 2013 218 351.813.09.2013DE
Title (EN) METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL INVOLVING DOPING BY ION IMPLANTATION AND THE DEPOSITING OF AN OUTDIFFUSION BARRIER
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE CELLULE SOLAIRE IMPLIQUANT UN DOPAGE PAR IMPLANTATION IONIQUE ET LA SÉPARATION D'UNE BARRIÈRE DE DIFFUSION VERS L'EXTÉRIEUR
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLARZELLE UMFASSEND EINE DOTIERUNG DURCH IONENIMPLANTATION UND ABSCHEIDEN EINER AUSDIFFUSIONSBARRIERE
Abstract: front page image
(EN) The invention relates to a method for producing a solar cell (1) from crystalline semiconductor material, wherein a first doping region (5) is formed by means of ion implantation (S2) of a first dopant in a first surface (3a) of a semiconductor substrate (3), and a second doping region (7) is formed by means of ion implantation (S3) or thermal indiffusion of a second dopant in the second surface (3b) of the semiconductor substrate. After the doping of the second surface, a cap (9b) acting as an outdiffusion barrier for the second dopant is applied and an annealing step (S4) is subsequently carried out.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'une cellule solaire (1) à partir d'un matériau semi-conducteur cristallin, une première zone de dopage (5) étant réalisée dans une première surface (3a) d'un substrat semi-conducteur (3), par implantation ionique (S2) d'un premier dopant et une seconde zone de dopage (7) étant réalisée dans la seconde surface (3b) du substrat semi-conducteur, par implantation ionique (S3) d'un second dopant ou par sa diffusion thermique vers l'intérieur, après le dopage de la seconde surface, une couche de recouvrement (9b) faisant office de barrière de diffusion vers l'extérieur pour le second dopant étant appliquée sur ladite seconde surface et une étape de recuit (S4) étant ensuite effectuée.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle (1) aus kristallinem Halbleitermaterial, wobei in einer ersten Oberfläche (3a) eines Halbleitersubstrats (3) ein erster Dotierungsbereich (5) durch Ionen- Implantation (S2) eines ersten Dotanden und in der zweiten (3b) Oberfläche des Halbleitersubstrats ein zweiter Dotierungsbereich (7) durch Ionenimplantation (S3) oder thermisches Eindiffundieren eines zweiten Dotanden gebildet wird, wobei nach der Dotierung der zweiten Oberfläche hierauf eine als Ausdiffusionsbarriere für den zweiten Dotanden wirkende Abdeckschicht (9b) aufgebracht und danach ein Temperschritt (S4) ausgeführt wird.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)