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1. (WO2015035818) ARRAY SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND DISPLAY APPARATUS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/035818    International Application No.:    PCT/CN2014/081118
Publication Date: 19.03.2015 International Filing Date: 30.06.2014
IPC:
H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/77 (2006.01), G02F 1/1362 (2006.01)
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District, Beijing 100015 (CN)
Inventors: ZHANG, Feng; (CN).
YAO, Qi; (CN).
LIU, Zhiyong; (CN)
Agent: TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Yuan CHEN 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005 (CN)
Priority Data:
201310422039.8 16.09.2013 CN
Title (EN) ARRAY SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND DISPLAY APPARATUS
(FR) SUBSTRAT MATRICIEL, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET APPAREIL D'AFFICHAGE
(ZH) 阵列基板及其制备方法、显示装置
Abstract: front page image
(EN)An array substrate, a manufacturing method therefor, and a display apparatus. The array substrate comprises a base substrate (10), and comprises a thin film transistor and at least one driving electrode (20, 21) both disposed on the base substrate (10). The thin film transistor comprises a gate (11), and comprises a source (14) and a drain (15) disposed at a same layer. The gate (11), the source (14) or the drain (15) and the at least one driving electrode (20, 21) are formed by using a same material, and the thicknesses of the gate (11), the source (14) or the drain (15) are greater than the thickness of the at least one driving electrode (20, 21). The array substrate meets the transmittance, simplifies the manufacturing process of the array substrate reduces the costs of a mask plate and a material, reduces the device investment, saves the cost and improves the production capacity.
(FR)L'invention porte sur un substrat matriciel, sur son procédé de fabrication, et sur un appareil d'affichage. Le substrat matriciel comprend un substrat de base (10) et comprend un transistor à couches minces et au moins une électrode d'attaque (20, 21) disposés l'un et l'autre sur le substrat de base (10). Le transistor à couches minces comprend une grille (11) et comprend une source (14) et un drain (15) disposés sur une même couche. La grille (11), la source (14) ou le drain (15) et la ou les électrodes d'attaque (20, 21) sont formés en utilisant un même matériau, et les épaisseurs de la grille (11), de la source (14) ou du drain (15) sont supérieures à l'épaisseur de ladite ou desdites électrodes d'attaque (20, 21). Le substrat matriciel satisfait aux exigences en termes de facteur de transmission, possède un procédé de fabrication plus simple, réduit les coûts d'une plaque de masque et d'un matériau, réduit l'investissement lié au dispositif, est moins coûteux et améliore la capacité de production.
(ZH)一种阵列基板及其制备方法和显示装置,所述阵列基板包括衬底基板(10)以及设置于所述衬底基板(10)上的薄膜晶体管和至少一个驱动电极(20,21),所述薄膜晶体管包括栅极(11)以及设置在同一层的源极(14)和漏极(15),其中,所述栅极(11)、所述源极(14)或所述漏极(15)与所述至少一个驱动电极(20,21)采用相同的材料形成,且其厚度大于所述至少一个驱动电极(20,21)的厚度。所述阵列基板,在满足透过率的同时,简化了阵列基板的制备工艺,降低了掩模板和材料的成本,减少了设备投资,节约了成本,提高了产能。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)