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1. (WO2015035038) VERTICAL BIT LINE WIDE BAND GAP TFT SELECTION TRANSISTOR OF A 3D RRAM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/035038    International Application No.:    PCT/US2014/054080
Publication Date: 12.03.2015 International Filing Date: 04.09.2014
IPC:
G11C 13/00 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 27/24 (2006.01)
Applicants: SANDISK 3D LLC [US/US]; 951 SanDisk Drive Milpitas, California 95035 (US)
Inventors: RABKIN, Peter; (US).
HIGASHITANI, Masaaki; (US)
Agent: MAGEN, Burt; (US)
Priority Data:
14/020,647 06.09.2013 US
Title (EN) VERTICAL BIT LINE WIDE BAND GAP TFT SELECTION TRANSISTOR OF A 3D RRAM
(FR) TRANSISTOR DE SÉLECTION TFT À LARGE BANDE INTERDITE DE LIGNE DE BITS VERTICALE D'UNE RRAM 3D
Abstract: front page image
(EN)A 3D memory array having a vertically oriented thin film transistor (TFT) selection device that has a body formed from a wide energy band gap semiconductor is disclosed. The wide energy band gap semiconductor may be an oxide semiconductor, such as a metal oxide semiconductor. As examples, this could be an InGaZnO, InZnO, HflnZnO, or ZnlnSnO body. The source and drains can also be formed from the wide energy band gap semiconductor, although these may be doped for better conduction. The vertically oriented TFT selection device serves as a vertical bit line selection device in the 3D memory array. A vertical TFT select device has a high drive current, a high breakdown voltage and low leakage current.
(FR)L'invention concerne un réseau de mémoire 3D doté d'un dispositif de sélection de transistor à film mince (TFT) orienté verticalement qui comprend un corps formé à partir d'un semi-conducteur à large bande interdite d'énergie. Le semi-conducteur à large bande interdite d'énergie peut être un semi-conducteur à oxyde, tel qu'un semi-conducteur à oxyde métallique. Par exemple, il pourrait s'agir d'un corps de InGaZnO, InZnO, HflnZnO ou ZnlnSnO. La source et les drains peuvent également être formés à partir du semi-conducteur à large bande interdite d'énergie, bien que ces derniers puissent être dopés pour une meilleure conduction. Le dispositif de sélection de TFT orienté verticalement sert de dispositif de sélection de ligne de bits verticale dans le réseau de mémoire 3D. Un dispositif de sélection de TFT vertical a un courant d'entraînement élevé, une tension de claquage élevée et un courant de fuite bas.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)