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1. (WO2015034600) ETCH PROCESS FOR REDUCING DIRECTED SELF ASSEMBLY PATTERN DEFECTIVITY USING DIRECT CURRENT SUPERPOSITIONING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/034600    International Application No.:    PCT/US2014/048894
Publication Date: 12.03.2015 International Filing Date: 30.07.2014
IPC:
B05D 5/00 (2006.01), B82Y 30/00 (2011.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-6325 (JP).
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, Texas 78741 (US) (JP only)
Inventors: CHAKRAPANI, Vidhya; (US).
KO, Akiteru; (US).
KUMAR, Kaushik; (US)
Agent: MADRIAGA, Manuel B.; (US)
Priority Data:
14/018,329 04.09.2013 US
Title (EN) ETCH PROCESS FOR REDUCING DIRECTED SELF ASSEMBLY PATTERN DEFECTIVITY USING DIRECT CURRENT SUPERPOSITIONING
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE POUR LA RÉDUCTION DE DÉFECTUOSITÉ DE MOTIFS D'AUTOASSEMBLAGE DIRIGÉ UTILISANT UNE SUPERPOSITION DE COURANT CONTINU
Abstract: front page image
(EN)A method for prepares a patterned directed self-assembly layer for reducing directed self-assembly pattern selectivity using direct current super-positioninq. A substrate having a block copolymer layer overlying a first intermediate layer, said block copolymer layer comprising a first phase-separated polymer defining a first pattern and a second phase-separated polymer defining a second pattern in said block copolymer layer is provided. A first plasma etching process using plasma formed of a first process composition to remove said second phase-separated polymer while leaving behind said first pattern of said first phase-separated polymer is performed. A second plasma etching process to transfer said first pattern into said first intermediate layer using plasma formed of a second process composition is performed.
(FR)L'invention porte sur un procédé pour la préparation d'une couche d'autoassemblage dirigé à motifs pour la réduction de la sélectivité de motifs d'autoassemblage dirigé utilisant une superposition de courant continu. Selon l'invention, un substrat comprenant une couche de copolymères séquencés recouvrant une première couche intermédiaire, ladite couche de copolymères séquencés comprenant un premier polymère à phase séparée délimitant un premier motif et un second polymère à phase séparée délimitant un second motif dans ladite couche de copolymères séquencés. Un premier procédé de gravure par plasma utilisant du plasma constitué d'une première composition de traitement pour enlever ledit second polymère à phase séparée tout en laissant ledit premier motif dudit premier polymère à phase séparée est effectué. Un second procédé de gravure par plasma pour transférer ledit premier motif dans ladite première couche intermédiaire utilisant du plasma constitué d'une seconde composition de traitement est effectué.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)