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1. (WO2015034553) NONVOLATILE MEMORY DEVICE EMPLOYING THIN FILM TRANSISTORS AND SCHOTTKY DIODES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/034553    International Application No.:    PCT/US2014/023511
Publication Date: 12.03.2015 International Filing Date: 11.03.2014
IPC:
H01L 43/08 (2006.01)
Applicants: LUPINO, James, John [US/US]; (US).
AGAN, Tommy, Allen [US/US]; (US)
Inventors: LUPINO, James, John; (US).
AGAN, Tommy, Allen; (US)
Agent: STORM, Paul, V.; Gardere Wynne Sewell LLP 1601 Elm Street Suite 3000 Dallas, TX 75201-4761 (US)
Priority Data:
14/021,216 09.09.2013 US
Title (EN) NONVOLATILE MEMORY DEVICE EMPLOYING THIN FILM TRANSISTORS AND SCHOTTKY DIODES
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE NON VOLATILE EMPLOYANT DES TRANSISTORS À COUCHE MINCE ET DES DIODES SCHOTTKY
Abstract: front page image
(EN)An improved crosspoint memory array device comprising a plurality of memory cells is introduced. Each memory cell being is disposed at an intersection region of the conductive lines, where one of the first conductive lines is electrically coupled at a first terminal and one of the second conductive lines is electrically coupled at a second terminal. Each conductive line is electrically coupled to at least two thin film transistors (TFTs), which provide access to the memory cell. Each memory cell comprises an electrical resistance, which is controllable using a back to back Schottky diode, which is located between each memory cell and one of the said conductive lines. The device is substantially produced in BEOL facilities without the need of front end semiconductor production facilities, but can still be mad with ultra high density and at low cost.
(FR)L'invention concerne un dispositif de matrice mémoire de points de connexion amélioré comprenant une pluralité de cellules de mémoire. Chaque cellule de mémoire est disposée à une région d'intersection des lignes conductrices, l'une des premières lignes conductrices étant couplée électriquement à une première borne et l'une des deuxièmes lignes conductrices étant couplée électriquement à une deuxième borne. Chaque ligne conductrice est couplée électriquement à au moins deux transistors à couche mince (TFT), qui fournissent un accès à la cellule de mémoire. Chaque cellule de mémoire comprend une résistance électrique, qui peut être commandée à l'aide d'une diode Schottky dos à dos, qui est située entre chaque cellule de mémoire et une desdites lignes conductrices. Le dispositif est produit essentiellement dans des installations BEOL sans la nécessité d'installations de production de base de semi-conducteurs, tout en étant fabriqué avec une densité très élevée et à faible coût.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)