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1. (WO2015033867) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/033867    International Application No.:    PCT/JP2014/072721
Publication Date: 12.03.2015 International Filing Date: 29.08.2014
IPC:
H01L 21/56 (2006.01), H01L 23/28 (2006.01)
Applicants: NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 1-1-2,Shimohozumi,Ibaraki-shi, Osaka 5678680 (JP)
Inventors: MORITA,Kosuke; (JP).
ISHIZAKA,Tsuyoshi; (JP).
TOYODA,Eiji; (JP)
Agent: UNIUS PATENT ATTORNEYS OFFICE; SHIN-OSAKA MT Bldg. 1, 13-9, Nishinakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2013-185911 09.09.2013 JP
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abstract: front page image
(EN)A method for manufacturing a semiconductor device, which comprises: a step A for preparing a laminate that has a sheet for temporary fixation, a semiconductor chip that is temporarily fixed on the sheet for temporary fixation, and a wall part that protrudes upward from the surface of the sheet for temporary fixation so as to surround a temporary fixation region in which the semiconductor chip is temporarily fixed; a step B for preparing a sheet for sealing, which has a shape that fits inside a sealing region when viewed in plan, said sealing region being surrounded by the wall part; and a step C for embedding the semiconductor chip into the sheet for sealing within the sealing region and forming a package in which the semiconductor chip is embedded in the sheet for sealing.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur, qui comprend : une étape A permettant de préparer un stratifié qui comporte une feuille de fixation temporaire, une puce semi-conductrice qui est temporairement fixée sur la feuille de fixation temporaire, et une partie de paroi qui dépasse vers le haut depuis la surface de la feuille de fixation temporaire de manière à entourer une zone de fixation temporaire dans laquelle est temporairement fixée la puce semi-conductrice ; une étape B permettant de préparer une feuille d'étanchéité, dont la forme s'adapte à l'intérieur d'une zone d'étanchéité en vue planaire, ladite zone d'étanchéité étant entourée par la partie de paroi ; et une étape C permettant d'incorporer la puce semi-conductrice dans la feuille d'étanchéité dans la zone d'étanchéité et de former un conditionnement dans lequel la puce semi-conductrice est incorporée dans la feuille d'étanchéité.
(JA) 仮固定用シートと、仮固定用シート上に仮固定された半導体チップと、半導体チップが仮固定されている仮固定領域を囲むように、仮固定用シート面よりも上側に突出した壁部とを有する積層体を準備する工程Aと、平面視での形状が、壁部で囲まれた封止領域内に収まる形状の封止用シートを準備する工程Bと、半導体チップを封止領域内で封止用シートに埋め込み、半導体チップが封止用シートに埋め込まれた封止体を形成する工程Cと、を含む半導体装置の製造方法。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)