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Pub. No.:    WO/2015/033823    International Application No.:    PCT/JP2014/072329
Publication Date: 12.03.2015 International Filing Date: 26.08.2014
H01B 13/00 (2006.01), B23K 26/00 (2014.01), C23C 26/00 (2006.01), H05K 3/10 (2006.01)
Applicants: FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventors: SASADA Misato; (JP).
OHTA Hiroshi; (JP).
USAMI Yoshihisa; (JP)
Agent: WATANABE Mochitoshi; (JP)
Priority Data:
2013-182109 03.09.2013 JP
(JA) 導電膜の製造方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a production method for a conductive film, whereby a conductive film having reduced occurrence of defects and excellent conductivity can be produced. This production method for a conductive film comprises: a step in which a dispersion liquid including copper oxide particles having an average particle diameter of no more than 100 nm is coated upon a base material, and a precursor film including copper oxide particles is formed; and a step in which a laser light having a wavelength of 9-11 µm is irradiated on and relatively scans the precursor film, the copper oxide particles in a scanning area in which the laser light was irradiated are reduced, and a conductive film including copper metal is formed. The film thickness of the precursor film is 0.5-30 µm, the scanning speed is 10-120 mm/s, the thermal conductivity (A [W/(m·k)]) of the base material and the output (W [W]) of the laser light fulfil the relationship indicated by formula 1, and the thermal conductivity (A) of the base material is at least 0.014. Formula 1: 1.39 + 0.3252 Ln (A) ≤ W ≤ 3.00 + 0.3252 Ln (A).
(FR)La présente invention porte sur un procédé de fabrication d'un film conducteur, par lequel un film conducteur ayant une occurrence de défauts réduite et une excellente conductivité peut être fabriqué. Le procédé de fabrication d'un film conducteur comprend : une étape à laquelle un matériau de base est recouvert d'une couche d'un liquide de dispersion comprenant des particules d'oxyde de cuivre ayant un diamètre moyen des particules inférieur ou égal à 100 nm, et un film précurseur comprenant des particules d'oxyde de cuivre est formé ; et une étape à laquelle le film précurseur est exposé à une lumière laser ayant une longueur d'onde de 9-11 µm qui le balaye relativement, les particules d'oxyde de cuivre présentes dans une zone de balayage ayant été exposée à la lumière laser sont réduites, et un film conducteur comprenant du cuivre métallique est formé. L'épaisseur de film du film précurseur est de 0,5-30 µm, la vitesse de balayage est de 10-120 mm/s, la conductivité thermique (A [W/(m·k)]) du matériau de base et la puissance (W [W]) de la lumière laser satisfont la relation indiquée par une formule 1, et la conductivité thermique (A) du matériau de base est d'au moins 0,014. Formule 1: 1,39 + 0,3252 Ln (A) ≤ W ≤ 3,00 + 0,3252 Ln (A).
(JA) 本発明は、欠陥の発生が抑制され、導電性に優れた導電膜を製造することができる導電膜の製造方法を提供する。本発明の導電膜の製造方法は、平均粒子径100nm以下の酸化銅粒子を含む分散液を基材上に塗布して、酸化銅粒子を含む前駆体膜を形成する工程と、前駆体膜に対して、波長9~11μmのレーザ光を照射しつつ相対的に走査し、レーザ光が照射された走査領域における酸化銅粒子を還元して金属銅を含む導電膜を形成する工程とを備え、前駆体膜の膜厚が0.5~30μmであり、走査の速度が10~120mm/sであり、基材の熱伝導率A[W/(m・K)]と、レーザ光の出力W[W]とが式1の関係を満たし、基材の熱伝導率Aが0.014以上である。 式1 1.39+0.3252Ln(A)≦W≦3.00+0.3252Ln(A)
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)