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1. (WO2015033699) SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, SILICON CARBIDE-GROWING DEVICE, AND MEMBER FOR SILICON CARBIDE-GROWING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/033699    International Application No.:    PCT/JP2014/069681
Publication Date: 12.03.2015 International Filing Date: 25.07.2014
IPC:
C30B 29/36 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), C30B 25/16 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventors: GENBA, Jun; (JP).
NISHIGUCHI, Taro; (JP).
DOI, Hideyuki; (JP).
MATSUSHIMA, Akira; (JP)
Agent: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2013-185384 06.09.2013 JP
Title (EN) SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, SILICON CARBIDE-GROWING DEVICE, AND MEMBER FOR SILICON CARBIDE-GROWING DEVICE
(FR) SUBSTRAT ÉPITAXIAL EN CARBURE DE SILICIUM, PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE SUBSTRAT ÉPITAXIAL EN CARBURE DE SILICIUM, PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM, DISPOSITIF DE CROISSANCE DE CARBURE DE SILICIUM ET ÉLÉMENT POUR DISPOSITIF DE CROISSANCE DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板、炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法、炭化珪素半導体装置の製造方法、炭化珪素成長装置および炭化珪素成長装置用部材
Abstract: front page image
(EN)A silicon carbide epitaxial substrate (10) which has a main surface (a second main surface (2A)), and is provided with a base substrate (1) and a silicon carbide epitaxial layer (2) that is formed on the base substrate (1) and includes the main surface (the second main surface (2A)), wherein the second main surface (2A) has surface roughness of 0.6 nm or less, and the ratio of the standard deviation of the nitrogen concentration in the silicon carbide epitaxial layer (2) in the surface of the silicon carbide epitaxial substrate (10) which is determined in a surface layer including the main surface (the second main surface (2A)) relative to the average value of the nitrogen concentration in the silicon carbide epitaxial layer (2) in the surface of the silicon carbide epitaxial substrate (10) which is determined in the surface layer is 15% or less.
(FR)L'invention porte sur un substrat épitaxial en carbure de silicium (10) qui a une surface principale (une seconde surface principale (2A)) et qui est pourvu d'un substrat de base (1) et d'une couche épitaxiale en carbure de silicium (2) qui est formée sur le substrat de base (1) et qui comprend la surface principale (la seconde surface principale (2A)), la seconde surface principale (2A) ayant une rugosité de surface inférieure ou égale à 0,6 nm et le rapport de l'écart-type de la concentration d'azote dans la couche épitaxiale en carbure de silicium (2) dans la surface du substrat épitaxial en carbure de silicium (10) qui est déterminée dans une couche de surface comprenant la surface principale (la seconde surface principale (2A)) à la valeur moyenne de la concentration d'azote dans la couche épitaxiale en carbure de silicium (2) dans la surface du substrat épitaxial en carbure de silicium (10) qui est déterminée dans la couche de surface étant inférieur ou égal à 15 %.
(JA) 主表面(第2の主面(2A))を有する炭化珪素エピタキシャル基板(10)であって、ベース基板(1)と、ベース基板(1)上に形成されて、主表面(第2の主面(2A))を含む炭化珪素エピタキシャル層(2)とを備え、第2の主面(2A)の表面粗さは0.6nm以下であり、炭化珪素エピタキシャル層(2)中の窒素濃度の、主表面(第2の主面(2A))を含む表面層における炭化珪素エピタキシャル基板(10)面内での平均値に対する、炭化珪素エピタキシャル層(2)中の窒素濃度の、上記表面層における炭化珪素エピタキシャル基板(10)面内での標準偏差の比率が、15%以下である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)