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1. (WO2015033686) SILICON-CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/033686    International Application No.:    PCT/JP2014/069405
Publication Date: 12.03.2015 International Filing Date: 23.07.2014
IPC:
H01L 29/12 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventors: MASUDA, Takeyoshi; (JP)
Agent: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Priority Data:
2013-185032 06.09.2013 JP
Title (EN) SILICON-CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)This SiC semiconductor device (1) comprises a SiC substrate (10), a gate-insulating film (20) that comprises SiO2 and is formed on the surface (10A) of said SiC substrate (10), and a gate electrode (30) formed on top of said gate-insulating film (20). The maximum nitrogen concentration in a region that extends 10 nm from the interface (21) between the SiC substrate (10) and the gate-insulating film (20) is at least 3×1019 cm-3, and the maximum nitrogen concentration in a region that extends 10 nm from the interface (22) between the gate-insulating film (20) and the gate electrode (30) is at most 1×1020 cm-3.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur SiC (1) comprenant un substrat en SiC (10), un film d'isolation de grille (20) qui comprend SiO2 et qui est formé sur la surface (10A) dudit substrat en SiC (10), et une électrode (30) de grille formée sur la partie supérieure dudit film d'isolation de grille (20). La concentration en azote maximale dans une région qui s'étend de 10 nm à partir de l'interface (21) entre le substrat en SiC (10) et le film d'isolation de grille (20) est supérieure ou égale à 3×1019 cm-3, et la concentration en azote maximale dans une région qui s'étend de 10 nm à partir de l'interface (22) entre le film d'isolation de grille (20) et l'électrode (30) de grille est inférieure ou égale à 1×1020 cm-3.
(JA) SiC半導体装置(1)は、SiC基板(10)と、SiC基板(10)の表面(10A)上に形成され、SiOからなるゲート絶縁膜(20)と、ゲート絶縁膜(20)上に形成されたゲート電極(30)とを備えている。SiC基板(10)とゲート絶縁膜(20)との界面(21)から10nm以内の領域における窒素濃度の最大値は3×1019cm-3以上である。ゲート絶縁膜(20)とゲート電極(30)との界面(22)から10nm以内の領域における窒素濃度の最大値は1×1020cm-3以下である。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)