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1. (WO2015033515) SEMICONDUCTOR MODULE AND INVERTER DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/033515    International Application No.:    PCT/JP2014/004027
Publication Date: 12.03.2015 International Filing Date: 31.07.2014
IPC:
H01L 23/36 (2006.01), H01L 23/473 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventors: YAMADA, Takayuki; (JP).
BESSHI, Noriyuki; (JP)
Agent: INABA, Tadahiko; (JP)
Priority Data:
2013-183224 04.09.2013 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR MODULE AND INVERTER DEVICE
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ONDULEUR
(JA) 半導体モジュール及びインバータ装置
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to obtain a power semiconductor module which is able to relieve strain concentration applied to a joining layer (5) when a warp that occurs when a ceramic circuit board (30) is joined to a heat sink (10a) via the joining layer (5) such as solder to thereby achieve a longer reliability guarantee period. In this semiconductor module (100), a heat sink (10a) comprises: a convex-shaped part (11) which has a convex plane (15) having a smaller area than a joining area with a joining layer (5); a first step part (12) which is provided at the end of the convex-shaped part (11), the thickness of the heat sink (10a) in a portion corresponding thereto being smaller than the thickness of the heat sink (10a) in a portion corresponding to the convex-shaped part (11); and a second step part (13) which is provided at the end of the first step part (12), the thickness of the heat sink (10a) in a portion corresponding thereto being smaller than that in a portion corresponding to the first step part (12), and the joining layer is joined to the convex-shaped part (11) and the first step part (12) of the heat sink.
(FR)La présente invention a pour objet d'obtenir un module à semi-conducteur de puissance qui peut libérer la concentration de contrainte appliquée à une couche de jonction (5) lors d'une déformation qui se produit lorsqu'une carte de circuit en céramique (30) est raccordée à un dissipateur thermique (10a) par l'intermédiaire de la couche de jonction (5) telle qu'une soudure, de sorte à obtenir une période de garantie de fiabilité plus longue. Dans ce module semi-conducteur (100), un dissipateur de chaleur (10a) comprend : une partie de forme convexe (11) qui comporte un plan convexe (15) ayant une aire plus petite qu'une aire de jonction avec une couche de jonction (5) ; une première partie épaulement (12) qui est agencée au niveau de l'extrémité de la partie de forme convexe (11), l'épaisseur du dissipateur de chaleur (10a) dans une partie correspondant à cette dernière étant plus faible que l'épaisseur du dissipateur de chaleur (10a) dans une partie correspondant à la partie de forme convexe (11) ; et une seconde partie épaulement (13) au niveau de l'extrémité de la première partie épaulement (12), l'épaisseur du dissipateur de chaleur (10a) dans une partie correspondant à cette dernière étant plus faible que celle dans une partie correspondant à la première partie épaulement (12), et la partie de jonction étant raccordée à la partie de forme convexe (11) et à la première partie épaulement (12) du dissipateur de chaleur.
(JA) 本発明は、セラミック回路基板30をはんだ等の接合層5を介してヒートシンク10aに接合する際に発生する反りを矯正する際に接合層5に加わる歪集中を緩和でき、信頼性保証期間が長くなるパワー半導体モジュールを得ることを目的とする。 本発明に係る半導体モジュール100においては、ヒートシンク10aは、凸平面15が接合層5との接合面積よりも小さい面積を有する凸状部11と、凸状部11の端部に設けられ、対応する部分のヒートシンク10aの厚さが凸状部11に対応する部分のヒートシンク10aの厚さよりも薄い第1の段差部12と、第1の段差部12の端部に設けられ、対応する部分のヒートシンク10aの厚さが第1の段差部12に対応する部分よりもさらに薄い第2の段差部13とを有し、接合層が、ヒートシンクの凸状部11及び第1の段差部12とで接合する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)