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1. (WO2015033193) SILICON WAFER COATED WITH SILICON OXIDE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/033193    International Application No.:    PCT/IB2014/000484
Publication Date: 12.03.2015 International Filing Date: 08.03.2014
IPC:
H01L 21/306 (2006.01), H01L 31/0236 (2006.01), H01L 31/075 (2012.01), H01L 31/20 (2006.01)
Applicants: DOW CORNING CORPORATION [US/US]; 2200 West Salzburg Road Midland, MI 48686-0994 (US)
Inventors: DESCAMPS, Pierre; (BE).
KAISER, Vincent; (BE).
CAMPEOL, Frederick; (BE)
Agent: OLIVO, John, M.; Dow Corning Corporation Intellectual Property Department C01232 P.O. Box 994 Midland, MI 48686-0994 (US)
Priority Data:
1315727.6 04.09.2013 GB
Title (EN) SILICON WAFER COATED WITH SILICON OXIDE
(FR) TRANCHE DE SILICIUM REVÊTUE D'OXYDE DE SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)A silicon wafer is coated on one major surface with a layer of a silicon oxide. The silicon wafer surface has average pyramid angle roughness equal to or greater than 10°. The silicon oxide coating layer has a thickness of 100 to 1000nm and is non-conformal, so that the surface of the coating on the wafer has average pyramid angle roughness of at least 5° lower than the average pyramid angle roughness of the silicon wafer surface.
(FR)La présente invention concerne une tranche de silicium qui est revêtue, sur une surface principale, d'une couche d'un oxyde de silicium. La surface de la tranche de silicium possède une rugosité moyenne d'angle de pyramide égale ou supérieure à 10°. La couche de revêtement d'oxyde de silicium possède une épaisseur de 100 à 1 000 nm et est non enrobante, et la surface du revêtement sur la tranche possède une rugosité moyenne d'angle de pyramide au moins 5° inférieure à la rugosité moyenne d'angle de pyramide de la surface de la tranche de silicium.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)