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1. (WO2015031781) TUNING WAFER INSPECTION RECIPES USING PRECISE DEFECT LOCATIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/031781    International Application No.:    PCT/US2014/053460
Publication Date: 05.03.2015 International Filing Date: 29.08.2014
IPC:
H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; KLA-TENCOR CORPORATION Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035 (US)
Inventors: KULKARNI, Ashok V.; (US).
GAO, Lisheng; (US).
HUANG, Junqing; (US)
Agent: MCANDREWS, Kevin; (US)
Priority Data:
61/872,493 30.08.2013 US
61/872,507 30.08.2013 US
14/470,916 27.08.2014 US
Title (EN) TUNING WAFER INSPECTION RECIPES USING PRECISE DEFECT LOCATIONS
(FR) ADAPTATION D'INSTRUMENTS D'INSPECTION DE TRANCHE PAR LOCALISATIONS PRÉCISES DE DÉFAUTS
Abstract: front page image
(EN)Systems and methods for determining one or more parameters of a wafer inspection process are provided. One method includes aligning optical image(s) of an alignment target to their corresponding electron beam images generated by an electron beam defect review system. The method also includes determining different local coordinate transformations for different subsets of alignment targets based on results of the aligning. In addition, the method includes determining positions of defects in wafer inspection system coordinates based on coordinates of the defects determined by the electron beam defect review system and the different local coordinate transformations corresponding to different groups of the defects into which the defects have been separated. The method further includes determining one or more parameters for an inspection process for the wafer based on defect images acquired at the determined positions by a wafer inspection system.
(FR)L'invention concerne des systèmes et des procédés pour déterminer un ou plusieurs paramètre(s) de processus d'inspection de tranche. Un procédé consiste à aligner une/des image(s) optique(s) d'une cible d'alignement avec leurs images de faisceaux d'électrons correspondants générés par un système de recherche de défauts de faisceau d'électrons; à déterminer différentes transformations de coordonnées locales pour différents sous-ensembles de cibles d'alignement en fonction des résultats de l'alignement; à déterminer des positions de défauts dans des coordonnées de système d'inspection de tranche en fonction des coordonnées des défauts déterminés par le système de recherche de défauts de faisceau d'électrons et les différentes transformations de coordonnées locales correspondant aux différents groupes de défauts dans lesquels les défauts ont été isolés; et à déterminer un ou plusieurs paramètre(s) pour un processus d'inspection de la tranche en fonction d'images de défauts acquises sur les positions déterminées par un système d'inspection de tranche.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)