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1. (WO2015031255) HEATED LASER PACKAGE WITH INCREASED EFFICIENCY FOR OPTICAL TRANSMITTER SYSTEMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/031255    International Application No.:    PCT/US2014/052524
Publication Date: 05.03.2015 International Filing Date: 25.08.2014
IPC:
H01S 5/02 (2006.01)
Applicants: APPLIED OPTOELECTRONICS, INC. [US/US]; 13115 Jess Pirtle Blvd. Sugar Land, Texas 77478 (US)
Inventors: ZHENG, Jun; (US).
WANG, Yi; (US).
HO, I-Lung; (US)
Agent: CARROLL, Kevin J.; (US)
Priority Data:
13/975,867 26.08.2013 US
Title (EN) HEATED LASER PACKAGE WITH INCREASED EFFICIENCY FOR OPTICAL TRANSMITTER SYSTEMS
(FR) BOÎTIER LASER CHAUFFÉ À EFFICACITÉ AMÉLIORÉE POUR SYSTÈMES D'ÉMETTEURS OPTIQUES
Abstract: front page image
(EN)A heated laser package generally includes a laser diode, a heating resistor and a transistor in a single laser package. The heating resistor and transistor form a heating circuit and may be located on a submount adjacent to the laser diode. The transistor is configured to control the drive current to the heating resistor and any additional heat generated by the transistor may contribute to the heating of the laser diode and thus increase the thermal efficiency of the system. The heated laser package may be used in a temperature controlled multi-channel transmitter optical subassembly (TOSA), which may be used in a multi-channel optical transceiver. The optical transceiver may be used in a wavelength division multiplexed (WDM) optical system, for example, in an optical line terminal (OLT) in a WDM passive optical network (PON).
(FR)L'invention concerne un boîtier laser chauffé incluant généralement une diode laser, une résistance chauffante et un transistor dans un seul boîtier laser. La résistance chauffante et le transistor forment un circuit chauffant et peuvent être situés sur une embase adjacente à la diode laser. Le transistor est configuré pour réguler le courant d'entrainement vers la résistance chauffante et toute chaleur supplémentaire générée par le transistor peut contribuer à chauffer la diode laser et ainsi augmenter l'efficacité thermique du système. Le boîtier laser chauffé peut être utilisé dans un sous-ensemble optique d'émetteur multicanal à régulation de température (TOSA), qui peut être utilisé dans un émetteur/récepteur optique multicanal. L'émetteur/récepteur optique peut être utilisé dans un système optique à multiplexage par division de longueur d'onde (WDM), par exemple dans un terminal de ligne optique (OLT) dans un réseau optique passif WDM (PON).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)