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1. (WO2015030913) METHOD FOR REDUCING GROWTH OF NON-UNIFORMITIES AND AUTODOPING DURING COLUMN III-V GROWTH INTO DIELECTRIC WINDOWS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/030913    International Application No.:    PCT/US2014/043594
Publication Date: 05.03.2015 International Filing Date: 23.06.2014
IPC:
H01L 21/20 (2006.01)
Applicants: RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, Massachusetts 02451-1449 (US)
Inventors: LAROCHE, Jeffrey, R.; (US).
HOKE, William, E.; (US).
KAZIOR, Thomas, E.; (US)
Agent: MOFFORD, Donald, F.; (US)
Priority Data:
14/010,954 27.08.2013 US
Title (EN) METHOD FOR REDUCING GROWTH OF NON-UNIFORMITIES AND AUTODOPING DURING COLUMN III-V GROWTH INTO DIELECTRIC WINDOWS
(FR) PROCÉDÉ POUR RÉDUIRE UNE CROISSANCE DE NON-UNIFORMITÉS ET UN AUTO-DOPAGE DURANT UNE CROISSANCE DE COLONNE III-V DANS DES FENÊTRES DIÉLECTRIQUES
Abstract: front page image
(EN)A method for depositing a column III-V material over a selected portion of a substrate through a window formed in a dielectric layer disposed over the selected portion of the substrate. The method includes forming a single crystal layer or polycrystalline layer over a field region of the dielectric layer adjacent to the window; and, growing, by MOCVD, a column III-V material over the single crystal layer or polycrystalline layer and through the window over the selected portion of the substrate.
(FR)L’invention porte sur un procédé pour déposer un matériau de colonne III-V sur une partie sélectionnée d’un substrat à travers une fenêtre formée dans une couche diélectrique disposée sur la partie sélectionnée du substrat. Le procédé comprend la formation d’une couche de cristal unique ou d’une couche polycristalline sur une région de champ de la couche de diélectrique adjacente à la fenêtre ; et, la croissance, par MOCVD, d’un matériau de colonne III-V sur la couche de cristal unique ou la couche polycristalline et à travers la fenêtre sur la partie sélectionnée du substrat.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)