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1. (WO2015030699) AIR CAVITY PACKAGES HAVING CONDUCTIVE BASE PLATES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/030699    International Application No.:    PCT/US2013/048462
Publication Date: 05.03.2015 International Filing Date: 28.06.2013
IPC:
H01L 23/06 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01), H01L 23/14 (2006.01)
Applicants: MATERION CORPORATION [US/US]; 6070 Parkland Avenue Mayfield Heights, Ohio 44124 (US)
Inventors: WITYAK, George Michael; (US).
KOBA, Richard; (US)
Agent: MCMAHON, Edward, L.; Ohlandt, Greeley, Ruggiero & Perle, L.L.P. One Landmark Square, 10th Floor Stamford, CT 06901-2682 (US)
Priority Data:
Title (EN) AIR CAVITY PACKAGES HAVING CONDUCTIVE BASE PLATES
(FR) BOÎTIERS À CAVITÉ D'AIR AYANT DES PLAQUES DE BASE À HAUTE CONDUCTIVITÉ THERMIQUE, ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A high thermal conductivity base plate is provided for use in air cavity packages. The base plate is at least partially comprised of reinforced silver composite. The composite can include a matrix of pure silver or a silver alloy and reinforcement particles. The reinforcement particles can include high thermal conductivity, low CTE particles selected from the group consisting of diamond, cubic boron nitride (c-BN), silicon carbide (SiC), and any combinations thereof. In some embodiments, the base plate is entirely comprised of the composite. In other embodiments, the base plate has a core made of the composite. The core can include at least one outer layer on the core. The semiconductor package can include one or more dice or transistors on the base plate, an insulated frame on the base plate, and one or more leads on the insulated frame.
(FR)L'invention concerne une plaque de base à haute conductivité thermique destinée à être utilisée dans des boîtiers à cavité d'air. La plaque de base est constituée au moins en partie d'un composite d'argent renforcé. Le composite peut comprendre une matrice d'argent pur ou un alliage d'argent et des particules de renforcement. Les particules de renforcement peuvent comprendre des particules à CET bas et à haute conductivité thermique, choisies dans le groupe comprenant le diamant, le nitrure de bore cubique (c-BN), le carbure de silicium (SiC) ou toute combinaison de ces derniers. Dans certains modes de réalisation, la plaque de base est entièrement composée du composite. Dans d'autres modes de réalisation, la plaque de base comprend un noyau constitué du composite. Le noyau peut comprendre au moins une couche extérieure sur le noyau. Le boîtier de semi-conducteur peut comprendre une ou plusieurs puces ou transistors sur la plaque de base, un cadre isolé sur la plaque de base, et un ou plusieurs conducteurs sur le cadre isolé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)