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1. (WO2015030589) PROCESS AND DONOR CARRIER FOR MANUFACTURING A SEMI-CONDUCTOR DEVICE USING LIGHT INDUCED TRANSFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/030589    International Application No.:    PCT/NL2014/050588
Publication Date: 05.03.2015 International Filing Date: 29.08.2014
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), C23C 14/28 (2006.01), C23C 14/14 (2006.01)
Applicants: NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO [NL/NL]; Anna van Buerenplein 1 NL-2595 DA 's-Gravenhage (NL).
KONINKLIJKE PHILIPS N.V. [NL/NL]; High Tech Campus 5 NL-5656 AE Eindhoven (NL).
COHERENT EUROPE B.V. [NL/NL]; Kanaalweg 18A NL-3526 KL Utrecht (NL)
Inventors: LIFKA, Herbert; (NL).
MANDAMPARAMBIL, Rajesh; (NL).
PRENEN, An Maria; (NL).
JENSE, Wouter; (NL).
MOORHOUSE, Colin; (NL).
KUETHER, Lars; (NL)
Agent: JANSEN, C.M.; (NL)
Priority Data:
13182352.8 30.08.2013 EP
Title (EN) PROCESS AND DONOR CARRIER FOR MANUFACTURING A SEMI-CONDUCTOR DEVICE USING LIGHT INDUCED TRANSFER
(FR) PROCESSUS ET SUPPORT DONNEUR POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN UTILISANT UN TRANSFERT INDUIT PAR LUMIÈRE
Abstract: front page image
(EN)A semi-conductor device is manufactured using a light induced forward transfer process, by transferring donor material from a transparent donor substrate. A donor layer with semi-conductor material and doping material is used. The donor layer may be of amorphous silicon with implanted doping. The donor substrate and a target substrate are placed facing each other. The donor layer is irradiated with light through the donor substrate at a selected position on the surface of the donor substrate, using sufficient energy to melt the donor layer at the irradiated position and to transfer to the target substrate in the molten state. On the target substrate the donor material crystallizes. Successive transfer steps of this type for transferring material to the same target substrate, using donor layers having different types and/or concentrations of donor material, may be used to manufacture a more complex device.
(FR)L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs qui est fabriqué en utilisant un processus de transfert direct induit par lumière, par transfert de matériau donneur en provenance d'un substrat donneur transparent. Une couche donneuse avec un matériau de semi-conducteur et un matériau de dopage est utilisée. La couche donneuse peut être en silicium amorphe avec un dopage implanté. Le substrat donneur et un substrat cible sont placés l'un en face de l'autre. La couche donneuse est irradiée avec une lumière à travers le substrat donneur au niveau d'un emplacement sélectionné sur la surface du substrat donneur, en utilisant une énergie suffisante pour faire fondre la couche donneuse au niveau de l'emplacement irradié et pour un transfert vers le substrat cible dans l'état fondu. Sur le substrat cible, le matériau donneur cristallise. Des étapes de transfert successives de ce type pour transférer un matériau vers le même substrat cible, en utilisant des couches donneuses ayant différents types et/ou concentrations de matériau donneur, peuvent être utilisées pour fabriquer un dispositif plus complexe.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Licensing availability request The applicant has requested the International Bureau to indicate the availability for licensing purposes of the invention(s) claimed in this international application