WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2015030274) IMAGE SENSOR APPLYING ORGANIC PHOTO SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/030274    International Application No.:    PCT/KR2013/007774
Publication Date: 05.03.2015 International Filing Date: 29.08.2013
IPC:
H01L 27/146 (2006.01)
Applicants: SILICON DISPLAY TECHNOLOGY [KR/KR]; 8, Tapsil-ro 58beon-gil, Giheung-gu Yongin-si Gyeonggi-do 446-902 (KR)
Inventors: KIM, Ki Joong; (KR).
HUR, Ji Ho; (KR).
KANG, Moon Hyo; (KR).
HAM, Yong Ju; (KR)
Agent: KIM, In Han; 5F, Korean Re Bldg., 80, Soosong-Dong, Chongro-Ku, Seoul 110-733 (KR)
Priority Data:
Title (EN) IMAGE SENSOR APPLYING ORGANIC PHOTO SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) CAPTEUR D'IMAGE APPLIQUANT UN PHOTODÉTECTEUR ORGANIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to an image sensor to which an organic photo sensor is applied and a method of manufacturing the same. In accordance with one embodiment of the present invention the image sensor with the organic photo sensor may comprises a thin film transistor formed on a substrate; a first electrode connected to a data electrode of the thin film transistor; an organic photo sensor part deposited on the first electrode; and a second electrode deposited on the organic photo sensor part.
(FR)La présente invention concerne un capteur d'image auquel un photodétecteur organique est appliqué et son procédé de fabrication. Conformément à un mode de réalisation de la présente invention, le capteur d'image comportant le photodétecteur organique peut comprendre un transistor en couches minces formé sur un substrat; une première électrode connectée à une électrode de données du transistor en couches minces; une partie de photodétecteur organique déposée sur la première électrode; et une seconde électrode déposée sur la partie de photodétecteur organique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)