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1. (WO2015030239) THERMAL DIODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/030239    International Application No.:    PCT/JP2014/072938
Publication Date: 05.03.2015 International Filing Date: 01.09.2014
F28D 15/02 (2006.01), H01L 23/373 (2006.01)
Applicants: NGK INSULATORS, LTD. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530 (JP)
Inventors: TOMITA, Takahiro; (JP).
NAGAI, Kenkichi; (JP).
KOBAYASHI, Hiroharu; (JP)
Agent: WATANABE, Kazuhira; (JP)
Priority Data:
2013-181650 02.09.2013 JP
(JA) 熱ダイオード
Abstract: front page image
(EN)Provided is a thermal diode (3) that can be used at room temperature and that transmits heat easily in a direction. The thermal diode (3) is formed from a first material (1), which is a ceramic material exhibiting thermal conductivity that increases in a temperature range of -200ºC to 1000ºC inclusive, and a second material (2), which exhibits thermal conductivity that decreases in said temperature range, that are joined together. It is preferred that the first material (1) has a microstructure characteristic length (La) of 1nm-10µm.
(FR)L'invention concerne une diode thermique (3), qui peut être utilisée à température ambiante et qui transmet facilement de la chaleur dans une direction. La diode thermique (3) est formée d'un premier matériau (1), qui est un matériau de céramique présentant une conductivité thermique qui augmente dans une plage de températures de -200 °C à 1000 °C inclus, et d'un second matériau (2), qui présente une conductivité thermique qui diminue dans ladite plage de températures, qui sont reliés ensemble. Il est préférable que le premier matériau (1) ait une longueur de caractéristique de microstructure (La) de 1 nm-10 µm.
(JA) 室温で利用でき、ある方向に熱を伝えやすい熱ダイオード3を提供する。熱ダイオード3は、-200℃以上1000℃以下の中のある温度領域において熱伝導率が増加するセラミックス材料である第一の材料1と、前記温度領域において前記熱伝導率が減少する第二の材料2と、が接合されて形成されている。第一の材料1は、微構造の代表長さLが1nm~10μmであることが好ましい。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)