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Pub. No.:    WO/2015/030237    International Application No.:    PCT/JP2014/072935
Publication Date: 05.03.2015 International Filing Date: 01.09.2014
H01L 33/22 (2010.01), H01L 33/44 (2010.01)
Applicants: ASAHI KASEI E-MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 1-105, Kanda Jinbocho, Chiyoda-ku, Tokyo 1018101 (JP)
Inventors: TSUJIMOTO, Hiroyuki; (JP).
SUZUKI, Atsushi; (JP).
KATO, Junji; (JP).
TAKADA, Shozo; (JP)
Agent: AOKI, Atsushi; (JP)
Priority Data:
2013-180656 30.08.2013 JP
2013-231933 08.11.2013 JP
2013-245367 27.11.2013 JP
2013-272828 27.12.2013 JP
2013-273002 27.12.2013 JP
(JA) 半導体発光素子及び光学フィルム
Abstract: front page image
(EN) Provided is: a semiconductor light-emitting element having the ability to withstand chip dicing, exceptional cooling/heating-cycle resistance, and high light-extraction efficiency; and an optical film that can suitably be used in the manufacture of the semiconductor light-emitting element. The present disclosure provides a semiconductor light-emitting element including a semiconductor layer, a layer A, and a layer B, wherein the semiconductor light-emitting element is configured so that at least a part of the emitted light from the semiconductor layer is released from the layer B via the layer A, the layer A has a thickness of 1-200 nm, the layer B has a first principal surface and a second principal surface, the first principal surface faces the layer A, the second principal surface has a fine convex/concave structure, the layer B contains 60 mass% or more of an inorganic material in relation to the total mass of the layer B, and the inorganic material content of the layer A is less than the inorganic material content of the layer B.
(FR) L’invention porte sur un élément électroluminescent à semi-conducteurs ayant la capacité de résister à un découpage en dés de puce, une résistance de cycle de refroidissement/chauffage exceptionnelle, et une efficacité d’extraction de lumière élevée ; et sur un film optique qui peut être utilisé de manière appropriée dans la fabrication de l’élément électroluminescent à semi-conducteurs. La présente invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteurs comprenant une couche de semi-conducteur, une couche A et une couche B, l’élément électroluminescent à semi-conducteurs étant configuré de telle sorte qu’au moins une partie de la lumière émise par la couche de semi-conducteur est libérée par la couche B par l’intermédiaire de la couche A, la couche A possédant une épaisseur allant de 1 à 200 nm, la couche B possédant une première surface principale et une seconde surface principale, la première surface principale étant tournée vers la couche A, la seconde surface principale possédant une structure convexe/concave fine, la couche B contenant 60% en masse ou plus d’un matériau inorganique par rapport à la masse totale de la couche B, et le contenu de matériau inorganique de la couche A étant inférieur au contenu de matériau inorganique de la couche B.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)