WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2015030237) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND OPTICAL FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/030237    International Application No.:    PCT/JP2014/072935
Publication Date: 05.03.2015 International Filing Date: 01.09.2014
IPC:
H01L 33/22 (2010.01), H01L 33/44 (2010.01)
Applicants: ASAHI KASEI E-MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 1-105, Kanda Jinbocho, Chiyoda-ku, Tokyo 1018101 (JP)
Inventors: TSUJIMOTO, Hiroyuki; (JP).
SUZUKI, Atsushi; (JP).
KATO, Junji; (JP).
TAKADA, Shozo; (JP)
Agent: AOKI, Atsushi; (JP)
Priority Data:
2013-180656 30.08.2013 JP
2013-231933 08.11.2013 JP
2013-245367 27.11.2013 JP
2013-272828 27.12.2013 JP
2013-273002 27.12.2013 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND OPTICAL FILM
(FR) ÉLÉMENT ELECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEURS ET FILM OPTIQUE
(JA) 半導体発光素子及び光学フィルム
Abstract: front page image
(EN) Provided is: a semiconductor light-emitting element having the ability to withstand chip dicing, exceptional cooling/heating-cycle resistance, and high light-extraction efficiency; and an optical film that can suitably be used in the manufacture of the semiconductor light-emitting element. The present disclosure provides a semiconductor light-emitting element including a semiconductor layer, a layer A, and a layer B, wherein the semiconductor light-emitting element is configured so that at least a part of the emitted light from the semiconductor layer is released from the layer B via the layer A, the layer A has a thickness of 1-200 nm, the layer B has a first principal surface and a second principal surface, the first principal surface faces the layer A, the second principal surface has a fine convex/concave structure, the layer B contains 60 mass% or more of an inorganic material in relation to the total mass of the layer B, and the inorganic material content of the layer A is less than the inorganic material content of the layer B.
(FR) L’invention porte sur un élément électroluminescent à semi-conducteurs ayant la capacité de résister à un découpage en dés de puce, une résistance de cycle de refroidissement/chauffage exceptionnelle, et une efficacité d’extraction de lumière élevée ; et sur un film optique qui peut être utilisé de manière appropriée dans la fabrication de l’élément électroluminescent à semi-conducteurs. La présente invention concerne un élément électroluminescent à semi-conducteurs comprenant une couche de semi-conducteur, une couche A et une couche B, l’élément électroluminescent à semi-conducteurs étant configuré de telle sorte qu’au moins une partie de la lumière émise par la couche de semi-conducteur est libérée par la couche B par l’intermédiaire de la couche A, la couche A possédant une épaisseur allant de 1 à 200 nm, la couche B possédant une première surface principale et une seconde surface principale, la première surface principale étant tournée vers la couche A, la seconde surface principale possédant une structure convexe/concave fine, la couche B contenant 60% en masse ou plus d’un matériau inorganique par rapport à la masse totale de la couche B, et le contenu de matériau inorganique de la couche A étant inférieur au contenu de matériau inorganique de la couche B.
(JA)チップ化ダイシング工程に耐えることができ、冷熱サイクル耐性に優れ、更に高い光取り出し効率を有する半導体発光素子、及び該半導体発光素子の製造に好適に使用できる光学フィルムを提供する。本開示は、半導体層、A層、及びB層を含む半導体発光素子であって、該半導体発光素子は、該半導体層からの発光光の少なくとも一部が、該A層を介して該B層から放出されるように構成されており、該A層の厚みが、1nm以上200nm以下であり、該B層が、第1の主面及び第2の主面を有し、該第1の主面は該A層に対向しており、該第2の主面は凹凸微細構造を有し、該B層が、該B層の総質量基準で60質量%以上の無機物を含み、該A層内に存在する無機物の含有率が、該B層内に存在する該無機物の含有率よりも少ない、半導体発光素子を提供する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)