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1. (WO2015030191) MICROWAVE PLASMA PROCESSING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/030191    International Application No.:    PCT/JP2014/072779
Publication Date: 05.03.2015 International Filing Date: 29.08.2014
IPC:
H05H 1/30 (2006.01), C23C 16/511 (2006.01), C23C 16/513 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H05H 1/34 (2006.01)
Applicants: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP)
Inventors: KIM Jaeho; (JP).
SAKAKITA Hajime; (JP)
Priority Data:
2013-179286 30.08.2013 JP
Title (EN) MICROWAVE PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT À PLASMA À MICRO-ONDES
(JA) マイクロ波プラズマ処理装置
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a microwave excitation plasma processing device that can produce, under intermediate pressure and high pressure, a plasma jet that is highly uniform, highly dense, low in temperature, and wide. In the present invention, a microwave plasma processing device is characterized by comprising the following: a dielectric substrate; a tapered section provided at one end of the dielectric substrate and having a shape formed so that the thickness of the dielectric substrate becomes gradually smaller; a micro-strip line; an earth conductor; a microwave input section; a gas input opening for inputting gas into the dielectric substrate; a plasma generation section; a gas flow widening section that is provided in the dielectric substrate in order to supply a wide gas flow having a uniform speed to the plasma generation section, and that is formed so that the gas flow width becomes wider as the gas flow advances; a gas flow path for supplying gas to the gas flow widening section; and a nozzle for spraying the plasma.
(FR)La présente invention a pour objet de réaliser un dispositif de traitement à plasma d'excitation à micro-ondes qui peut produire, sous une pression intermédiaire et une haute pression, un jet de plasma qui présente une grande uniformité, une forte densité, une basse température et qui est large. Le dispositif de traitement à plasma à micro-ondes selon la présente invention est caractérisé en ce qu'il comprend les éléments suivants : un substrat diélectrique ; une section conique prévue à une extrémité du substrat diélectrique et dont la forme est réalisée de telle sorte que l'épaisseur du substrat diélectrique devient graduellement plus petite ; une ligne à micro-ruban ; un conducteur de terre ; une section d'entrée de micro-ondes ; une ouverture d'entrée de gaz pour injecter un gaz dans le substrat diélectrique ; une section de génération de plasma ; une section d'élargissement de flux de gaz qui est prévue dans le substrat diélectrique en vue de délivrer un flux de gaz large qui possède une vitesse uniforme à la section de génération de plasma et qui est formée de telle sorte que la largeur de flux de gaz devient plus large à mesure que le flux de gaz avance ; un chemin d'écoulement de gaz pour fournir du gaz à la section d'élargissement de flux de gaz ; et une buse pour pulvériser le plasma.
(JA) 中間気圧及び高気圧においても高い一様性と高密度、かつ低温の広幅のプラズマジェットを発生することが可能なマイクロ波励起プラズマ処理装置を提供することを課題とするものであり、該マイクロ波プラズマ処理装置は、誘電体基板と、前記誘電体基板の一方の端部に設けられた該誘電体基板の厚みが徐々に小さくなる形状のテーパー部と、マイクロストリップ線路と、アース導体と、マイクロ波入力部と、前記誘電体基板内にガスを入力するためのガス入力口と、プラズマ発生部と、前記プラズマ発生部に一様な流速を持つ広幅のガス流を供給するために前記誘電体基板内部に設けられた、ガス流が進行するに従ってガス流幅が広くなるように形成されたガス流広幅化部と、ガスを前記ガス流広幅化部に供給するためのガス流路と、プラズマを吹き出させるためのノズルと、を備えることを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)