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1. (WO2015029732) GAS BARRIER FILM AND PROCESS FOR MANUFACTURING GAS BARRIER FILM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/029732    International Application No.:    PCT/JP2014/070783
Publication Date: 05.03.2015 International Filing Date: 06.08.2014
IPC:
B32B 27/00 (2006.01), B32B 9/00 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01)
Applicants: KONICA MINOLTA, INC. [JP/JP]; 2-7-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1007015 (JP)
Inventors: MUROTA, Kazutoshi; (JP)
Agent: HATTA & ASSOCIATES; Dia Palace Nibancho, 11-9, Nibancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020084 (JP)
Priority Data:
2013-175693 27.08.2013 JP
Title (EN) GAS BARRIER FILM AND PROCESS FOR MANUFACTURING GAS BARRIER FILM
(FR) FILM DE BARRIÈRE CONTRE LES GAZ ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM DE BARRIÈRE CONTRE LES GAZ
(JA) ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法
Abstract: front page image
(EN)A gas barrier film which exhibits high durability and excellent gas barrier performance and a process for manufacturing the same are provided. A gas barrier film which is provided with at least one gas barrier layer on a resin substrate, wherein: the gas barrier layer contains carbon atoms, silicon atoms and oxygen atoms; the carbon distribution curve, which is obtained by depthwise element analysis of the gas barrier layer by X-ray photoelectron spectroscopy and which represents a relationship between carbon atomic ratio, namely carbon/silicon atomic ratio, and depth from the surface of the gas barrier layer, has at least one local maximum; the carbon distribution curve has at least one peak, namely, at least one local maximum such that there is a difference of at least 5at% between the carbon atomic ratio at the local maximum and the minimum carbon atomic ratio observed in a depthwise region of 20nm centered on the depth at which the local maximum appears; and when the gas barrier layer is subjected to nano-scratching in a depthwise region of 10nm centered on the depth at which the peak appears, the obtained depthwise friction distribution has an average maximum value/ minimum value ratio of 1.13 or less.
(FR)L'invention concerne un film de barrière contre les gaz qui présente une haute durabilité et une excellente performance de barrière contre les gaz et un procédé de fabrication de celui-ci. L'invention concerne un film de barrière contre les gaz qui comporte au moins une couche de barrière contre les gaz sur un substrat de résine, dans lequel : la couche de barrière contre les gaz contient des atomes de carbone, des atomes de silicium et des atomes d'oxygène ; la courbe de distribution du carbone, qui est obtenue par l'analyse des éléments dans le sens de la profondeur de la couche de barrière contre les gaz par spectroscopie des photoélectrons induits par rayonnement X et qui représente une relation entre le rapport atomique du carbone, à savoir le rapport atomique entre le carbone et le silicium, et la profondeur depuis la surface de la couche de barrière contre les gaz, a au moins un maximum local ; la courbe de distribution du carbone a au moins un pic, à savoir, au moins un maximum local de sorte qu'il y a une différence d'au moins 5at% entre le rapport atomique du carbone au maximum local et le rapport atomique du carbone minimum observé dans une région allant dans le sens de la profondeur de 20 nm centrée sur la profondeur à laquelle le maximum local apparaît ; et quand la couche de barrière contre les gaz est soumise à un nano-grattage dans une région allant dans le sens de la profondeur de 10 nm centrée sur la profondeur à laquelle le pic apparaît, la distribution de frottement obtenue dans le sens de la profondeur a un rapport moyen entre la valeur maximum et la valeur minimum de 1,13 ou moins.
(JA)高い耐久性と優れたガスバリア性能を有するガスバリアフィルムおよびその製造方法を提供する。 樹脂基材上にガスバリア層を少なくとも一層備えるガスバリアフィルムにおいて、ガスバリア層は炭素原子、ケイ素原子および酸素原子を含有し、ガスバリア層についての、X線光電子分光法による深さ方向の元素分布測定に基づく、ケイ素原子に対する炭素原子の比率である炭素原子比率と、ガスバリア層の表面からの深さとの関係を示す炭素分布曲線が少なくとも1つの極大値を有し、炭素分布曲線が、極大値と、極大値を示す深さの前後20nmにおける炭素原子比率の最小値との差が5at%以上であるピークを少なくとも1つ有し、ピークを示すガスバリア層の深さの10nm前後においてナノスクラッチを行った際の、深さ方向に対するフリクション分布の最大値/最小値の平均が、1.13以下であること。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)