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1. (WO2015029705) SEMICONDUCTOR ENERGY BEAM DETECTION ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/029705    International Application No.:    PCT/JP2014/070482
Publication Date: 05.03.2015 International Filing Date: 04.08.2014
IPC:
H01L 31/10 (2006.01), G01T 1/24 (2006.01)
Applicants: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP)
Inventors: YAMAMURA Kazuhisa; (JP).
KAMADA Shintaro; (JP)
Agent: HASEGAWA Yoshiki; (JP)
Priority Data:
2013-179147 30.08.2013 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR ENERGY BEAM DETECTION ELEMENT
(FR) ELÉMENT DÉTECTEUR DE FAISCEAU D'ÉNERGIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体エネルギー線検出素子
Abstract: front page image
(EN) A semiconductor energy beam detection element (ED1) is provided with a semiconductor substrate (1) having a main surface (1a) and a main surface (1b) which face each other. The semiconductor substrate (1) has: a first semiconductor region (3) of a first conductivity type, the first semiconductor region (3) being positioned on the main surface (1a)-side; a second semiconductor region (5) of the first conductivity type having a higher concentration of impurity than the first semiconductor region (3), the second semiconductor region (5) being positioned on the main surface (1b)-side; a third semiconductor region (7) of a second conductivity type and constituting an energy-beam-sensitive region with the first semiconductor region (3), the third semiconductor region (7) being positioned on the main surface (1a)-side; a fourth semiconductor region (9) of the second conductivity type, the fourth semiconductor region (9) being positioned on the main surface (1a)-side so as to surround the region in which the third semiconductor region (7) is positioned; and a fifth semiconductor region (11) of the second conductivity type, the fifth semiconductor region (11) being positioned on the main surface (1a)-side so as to follow the outer edge of the semiconductor substrate (1).
(FR) La présente invention concerne un élément (ED1) détecteur de faisceau d'énergie à semi-conducteur qui est doté d'un substrat (1) à semi-conducteur ayant une surface (1a) principale et une surface (1b) principale se faisant face. Le substrat (1) à semi-conducteur possède : une première zone (3) à semi-conducteur d'un premier type de conductivité, la première zone (3) à semi-conducteur étant disposée côté surface (1a) principale ; une deuxième zone (5) à semi-conducteur du premier type de conductivité ayant une concentration plus élevée en impuretés que celle de la première zone (3) à semi-conducteur, la deuxième zone (5) à semi-conducteur étant positionnée côté surface (1b) principale ; une troisième zone (7) à semi-conducteur d'un second type de conductivité et constituant une zone sensible au faisceau d'énergie dotée de la première zone (3) à semi-conducteur, la troisième zone (7) à semi-conducteur étant positionnée côté surface (1a) principale ; une quatrième zone (9) à semi-conducteur du second type de conductivité, la quatrième zone (9) à semi-conducteur étant positionnée côté surface (1a) principale pour entourer la zone dans laquelle la troisième zone (7) à semi-conducteur est positionnée ; et une cinquième zone (11) à semi-conducteur du second type de conductivité, la cinquième zone (11) à semi-conducteur étant positionnée côté surface (1a) principale pour suivre le bord extérieur du substrat (1) à semi-conducteur.
(JA) 半導体エネルギー線検出素子ED1は、互いに対向する主面1aと主面1bとを有する半導体基板1を備えている。半導体基板1は、主面1a側に位置する第一導電型の第一半導体領域3と、主面1b側に位置し、第一半導体領域3よりも不純物濃度が高い第一導電型の第二半導体領域5と、主面1a側に位置し、第一半導体領域3とでエネルギー線感応領域を構成する、第二導電型の第三半導体領域7と、主面1a側において第三半導体領域7が位置する領域の周囲を囲むように位置する、第二導電型の第四半導体領域9と、主面1a側において半導体基板1の外縁に沿うように位置する、第二導電型の第五半導体領域11と、を有している。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)