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1. (WO2015029578) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/029578    International Application No.:    PCT/JP2014/067226
Publication Date: 05.03.2015 International Filing Date: 27.06.2014
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: FUJI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530 (JP)
Inventors: TANAKA, Ryo; (JP).
TAKASHIMA, Shinya; (JP).
UENO, Katsunori; (JP).
EDO, Masaharu; (JP)
Agent: SAKAI, Hiroaki; (JP)
Priority Data:
2013-176006 27.08.2013 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法および半導体装置
Abstract: front page image
(EN)An n-AlxGa1-xN layer (12), a first cap layer (2a) comprising AlyGa1-yN and a second cap layer (2b) comprising AlzGa1-zN are formed sequentially on an n-GaN substrate (11) with the MOCVD method, forming a substrate to be processed (2). Thereafter, ion implantation is performed to implant impurities into the second cap layer (2b), the first cap layer (2a) and the n-AlxGa1-xN layer (12). After ion implantation, the substrate to be processed (2) is subjected to high-temperature activation annealing, and thereby, the impurities implanted with ion implantation are activated while suppressing nitrogen dissociation from the n-AlxGa1-xN layer (12). After the activation annealing, the second cap layer (2b) is removed by chlorine-based dry etching and the first cap layer (2a) is removed by wet etching with an aqueous KOH solution.
(FR)Selon l'invention, une couche de n-AlxGa1-xN (12), une première couche de recouvrement (2a) comprenant du AlyGa1-yN et une seconde couche de recouvrement (2b) comprenant du AlzGa1-zN sont formées séquentiellement sur un substrat de n-GaN (11) avec le procédé de MOCVD, formant un substrat à traiter (2). Ensuite, une implantation ionique est effectuée pour implanter des impuretés dans la seconde couche de recouvrement (2b), la première couche de recouvrement (2a) et la couche de n-AlxGa1-xN (12). Après l'implantation ionique, le substrat à traiter (2) est soumis à un recuit d'activation à haute température, et ainsi, les impuretés implantées par l'implantation ionique sont activées tout en supprimant la dissociation de l'azote de la couche de n-AlxGa1-xN (12). Après le recuit d'activation, la seconde couche de recouvrement (2b) est retirée par gravure à sec à base de chlore et la première couche de recouvrement (2a) est retirée par gravure humide avec une solution aqueuse de KOH.
(JA) n-GaN基板11上に、MOCVD法により、n-AlxGa1-xN層12、AlyGa1-yNからなる第1キャップ層2a、およびAlzGa1-zNからなる第2キャップ層2bを順次形成して、被処理基板2を形成する。その後、第2キャップ層2b、第1キャップ層2a、およびn-AlxGa1-xN層12に不純物をイオン注入する。イオン注入後に、被処理基板2に対して高温で活性化アニールを行うことによって、n-AlxGa1-xN層12からの窒素抜けを抑制しつつ、イオン注入した不純物を活性化させる。活性化アニール後、第2キャップ層2bを塩素系ドライエッチング法により除去し、第1キャップ層2aをKOH水溶液によるウェットエッチング法により除去する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)