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1. (WO2015029514) MAGNETIC FIELD DETECTOR INCLUDING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND CURRENT DETECTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/029514    International Application No.:    PCT/JP2014/063721
Publication Date: 05.03.2015 International Filing Date: 23.05.2014
IPC:
H01L 43/08 (2006.01), G01R 33/09 (2006.01), H01L 43/12 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventors: TAKENAGA, Takashi; (JP).
TSUZAKI, Yosuke; (JP).
FURUKAWA, Taisuke; (JP).
FUKUMOTO, Hiroshi; (JP)
Agent: SOGA, Michiharu; S. Soga & Co., 8th Floor, Kokusai Building, 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2013-177881 29.08.2013 JP
Title (EN) MAGNETIC FIELD DETECTOR INCLUDING MAGNETORESISTANCE EFFECT ELEMENT, AND CURRENT DETECTOR
(FR) DÉTECTEUR DE CHAMP MAGNÉTIQUE COMPRENANT UN ÉLÉMENT À EFFET DE MAGNÉTORÉSISTANCE, ET DÉTECTEUR DE COURANT
(JA) 磁気抵抗効果素子を備えた磁界検出器、および電流検出器
Abstract: front page image
(EN)Disclosed are: a magnetic field detector comprising a magnetoresistance effect element constituted by a layered structure including a cap layer that includes a Mg-containing oxide, a free layer that is in contact with the cap layer and that is made of a ferromagnetic layer including Fe as a main component, a tunnel insulating layer that is made of a Mg-containing oxide, and a fixed layer that opposes the free layer across the tunnel insulating layer and that is made of a ferromagnetic layer magnetized in the film surface direction; and a current detector using said magnetic field detector. In a state where no magnetic field is applied to the magnetoresistance effect element from the outside, the free layer has a magnetization in the film in-plane direction and a magnetization in a direction perpendicular to the film surface, and the component that is projected onto the film surface in the magnetization of the free layer is orthogonal to said component in the magnetization of the fixed layer.
(FR)L'invention concerne un détecteur de champ magnétique comprenant un élément à effet de magnétorésistance constitué par une structure en couche incluant une couche de capsulation avec de l'oxyde contenant du Mg, une couche libre en contact avec la couche de capsulation et faite d'une couche ferromagnétique avec du Fe comme composant principal, une couche isolante tunnel faite d'oxyde contenant du Mg, et une couche fixe opposée à la couche libre sur l'ensemble de la couche isolante tunnel et faite d'une couche ferromagnétique magnétisée dans la direction de la surface du film. L'invention concerne en outre un détecteur de courant utilisant ledit détecteur de champ magnétique. Dans un état tel qu'aucun champ magnétique n'est appliqué sur l'élément à effet de magnétorésistance depuis l'extérieur, la couche libre présente une magnétisation dans la direction en plan du film et une magnétisation perpendiculaire à la surface du film, et le composant qui est projeté sur la surface du film dans la magnétisation de la couche libre est orthogonal au dit composant dans la magnétisation de la couche fixe.
(JA) Mgを含有する酸化物を含むキャップ層と、これに接してFeを主成分とする強磁性層からなる自由層と、Mgを含有する酸化物からなるトンネル絶縁層と、トンネル絶縁層を介して自由層と対向する膜面方向に磁化された強磁性層からなる固着層とを含む積層構造により構成された磁気抵抗効果素子を備えた磁界検出器、およびそれを用いた電流検出器であって、磁気抵抗効果素子は、外部から磁界を印加しない状態において、自由層は、膜面内方向の磁化と、膜面に対して垂直方向の磁化を有し、自由層と固着層の磁化は、膜面への投影成分が互いに直交する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)