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Pub. No.:    WO/2015/029511    International Application No.:    PCT/JP2014/063466
Publication Date: 05.03.2015 International Filing Date: 21.05.2014
H01L 23/373 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventors: KOBAYASHI Hiroshi; (JP).
OMOTO Yohei; (JP).
SODA Shinnosuke; (JP).
TAYA Masaki; (JP)
Agent: YOSHITAKE Hidetoshi; 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg., 4-70, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
Priority Data:
2013-176218 28.08.2013 JP
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)The present invention provides a semiconductor device having high heat transferability and excellent machinability, and a production method therefor. The present invention is provided with the following: an insulating substrate (13); a semiconductor chip (11) provided on the insulating substrate; and a cooling member (12) bonded to the rear surface of the insulating substrate via a bonding material (23). The insulating substrate has an insulating plate (6), and a conductive plate (5) and a conductive plate (7) provided on both surfaces of the insulating plate. The cooling member is a composite member in which a thermal stress absorbing member (1) made of aluminum and a heat transferring metal member (2) are integrally formed. The thermal stress absorbing member is provided on the side of the cooling member that bonds with the insulating substrate rear surface, and the yield stress of the thermal stress absorbing member is lower than that of the bonding material.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs apte au transfert de chaleur élevée et présentant une excellente usinabilité, et sur son procédé de fabrication. La présente invention comprend les éléments suivants : un substrat isolant (13) ; une puce à semi-conducteurs (11) située sur le substrat isolant ; et un élément de refroidissement (12) lié à la surface arrière du substrat isolant par l’intermédiaire d’un matériau de liaison (23). Le substrat isolant possède une plaque isolante (6), et une plaque conductrice (5) ainsi qu'une plaque conductrice (7) situées sur les deux surfaces de la plaque isolante. L’élément de refroidissement est un élément composite dans lequel un élément d’absorption de contrainte thermique (1) en aluminium et un élément métallique de transfert thermique (2) sont formés de manière intégrée. L’élément d’absorption de contrainte thermique est situé sur le côté de l’élément de refroidissement qui est lié à la surface arrière du substrat isolant, et les contraintes de rendement de l’élément d’absorption de contrainte thermique sont inférieures à celles du matériau de liaison.
(JA) 本発明は、高熱伝達であり、かつ、工作性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。本発明は、絶縁基板13と、絶縁基板上に設けられた半導体チップ11と、絶縁基板裏面に、接合材23を介して接合された冷却部材12とを備える。絶縁基板は、絶縁板(6)と、絶縁板両面に設けられた導板5および導板7とを備える。冷却部材は、アルミニウムで構成される熱応力吸収部材1と熱伝導金属部材2とが一体となった複合部材である。熱応力吸収部材は、絶縁基板裏面と接合する側に配置され、熱応力吸収部材の降伏応力が、接合材の降伏応力より小さい。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)