WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Machine translation
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/029159    International Application No.:    PCT/JP2013/072960
Publication Date: 05.03.2015 International Filing Date: 28.08.2013
H01L 29/739 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventors: OSAGA Tsuyoshi; (JP).
HIYAMA Kazuaki; (JP).
KAWASE Tatsuya; (JP)
Agent: YOSHITAKE Hidetoshi; 10th floor, Sumitomo-seimei OBP Plaza Bldg., 4-70, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
Priority Data:
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a semiconductor device having improved assemblability and a reduced size. A semiconductor device (1) of the present invention is provided with: an IGBT that is formed on a Si substrate (13); a temperature-sensing diode (2) that is formed on the Si substrate (13); an emitter electrode pad (6) of the IGBT, said emitter electrode pad being disposed on the Si substrate (13); and wiring (19) for connecting a cathode and an emitter, said wiring being disposed on the Si substrate (13), and electrically connecting a cathode electrode pad (3) of the temperature-sensing diode (2) and an emitter electrode pad (6) to each other.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteurs présentant une aptitude à l'assemblage améliorée et une taille réduite. Un dispositif (1) à semi-conducteurs de la présente invention comprend : un IGBT qui est formé sur un substrat Si (13); une diode (2) de détection de température qui est formée sur le substrat Si (13); une plage (6) d'électrode d'émetteur de l'IGBT, ladite plage d'électrode d'émetteur étant disposée sur le substrat Si (13); et un câblage (19) destiné à connecter une cathode et un émetteur, ledit câblage étant disposé sur le substrat Si (13), ainsi qu'à connecter électriquement une plage (3) d'électrode de cathode de la diode (2) de détection de température et une plage (6) d'électrode d'émetteur l'une à l'autre.
(JA) 本発明は、組み立て性の向上および小型化が可能な半導体装置を提供することを目的とする。本発明による半導体装置1は、Si基板13に形成されたIGBTと、Si基板13に形成された温度センスダイオード2と、Si基板13上に配設されたIGBTのエミッタ電極パッド6と、Si基板13上に配設され、温度センスダイオード2のカソード電極パッド3とエミッタ電極パッド6とを電気的に接続するカソード・エミッタ接続用配線19とを備える。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)