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1. (WO2015029152) SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/029152    International Application No.:    PCT/JP2013/072941
Publication Date: 05.03.2015 International Filing Date: 28.08.2013
IPC:
H01L 21/52 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01)
Applicants: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP)
Inventors: MORITA Toshiaki; (JP).
YASUDA Yusuke; (JP)
Agent: INOUE Manabu; c/o HITACHI, LTD., 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008220 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abstract: front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a semiconductor device having improved long-term bonding reliability of a bonding section between a bonding layer formed of a copper sintered layer, and a Ni electrode or a Cu electrode. This semiconductor device is characterized in that: the semiconductor device is provided with a configuration wherein electronic components are electrically connected to each other with a bonding layer therebetween, said bonding layer being formed of a copper sintered layer; the bonding layer is bonded to an electrode or a connecting terminal, a surface of which is formed of nickel; at a bonding interface between the bonding layer and the electrode or the connecting terminal, copper of the bonding layer is diffused into a crystal grain boundary of nickel of the surface of the electrode or the connecting terminal; and a quantity of the diffused copper is more than a quantity of the nickel diffused into the sintered layer.
(FR)L'objet de la présente invention est de pourvoir à un dispositif à semi-conducteur présentant une fiabilité de liaison à long terme améliorée d'une section de liaison entre une couche de liaison formée d'une couche frittée de cuivre, et une électrode en Ni ou une électrode en Cu. Le dispositif à semi-conducteur est caractérisé en ce que : le dispositif à semi-conducteur est pourvu d'une configuration dans laquelle des composants électroniques sont connectés électriquement les uns aux autres, une couche de liaison étant agencée entre ceux-ci, ladite couche de liaison étant formée d'une couche frittée de cuivre ; la couche de liaison est liée à une électrode ou à une borne de connexion, dont une surface est formée de nickel ; au niveau d'une interface de liaison entre la couche de liaison et l'électrode ou la borne de connexion, du cuivre de la couche de liaison est diffusé dans une limite de grains cristallins de nickel de la surface de l'électrode ou de la borne de connexion ; et une quantité du cuivre diffusé est supérieure à une quantité du nickel diffusé dans la couche frittée.
(JA) 本発明の目的は、銅焼結層からなる接合層とNi電極またはCu電極との接合部における長期接合信頼性が向上された半導体装置を提供することにある。 本発明の半導体装置は、電子部品同士が銅焼結層からなる接合層を介して電気的に接続された構成を備え、前記接合層は、表面がニッケルからなる電極又は接続端子と接合されており、前記接合層と前記電極又は接続端子の接合界面において、前記電極又は接続端子表面のニッケルの結晶粒界に前記接合層の銅が拡散しており、その拡散量が前記焼結層に拡散するニッケルの拡散量よりも多いことを特徴とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)