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1. (WO2015028886) NANO-GAP ELECTRODE AND METHODS FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/028886    International Application No.:    PCT/IB2014/002143
Publication Date: 05.03.2015 International Filing Date: 26.08.2014
IPC:
G01N 27/00 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/41 (2006.01)
Applicants: QUANTUM BIOSYSTEMS INC. [JP/JP]; Room 601, Osaka-ya North Building 5 7-14-35 Nishi-nakajima, Yodogawa-ku Osaka, 532-0011 (JP)
Inventors: IKEDA, Shuji; (JP).
OLDHAM, Mark; (US).
NORDMAN, Eric; (US)
Priority Data:
2013-176132 27.08.2013 JP
2013-177051 28.08.2013 JP
Title (EN) NANO-GAP ELECTRODE AND METHODS FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLECTRODE À NANO-INTERVALLE ET SES PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)The present disclosure provides methods for forming a nano-gap electrode. In some cases, a nano-gap having a width adjusted by a film thickness of a sidewall may be formed between a first electrode-forming part and a second electrode-forming part using sidewall which has contact with first electrode-forming part as a mask. Surfaces of the first electrode- forming part, the sidewall and the second electrode-forming part may then be exposed. The sidewall may then be removed to form a nano-gap between the first electrode-forming part and the second electrode-forming part.
(FR)La présente invention concerne des procédés de formation d'une électrode à nano-intervalle. Dans certains cas, un nano-intervalle ayant une largeur réglée par une épaisseur de film d'une paroi latérale peut être formé entre une première partie de formation d'électrode et une seconde partie de formation d'électrode à l'aide d'une paroi latérale qui a un contact avec la première partie de formation d'électrode en tant que masque. Des surfaces de la première partie de formation d'électrode, de la paroi latérale et de la seconde partie de formation d'électrode peuvent être ensuite exposées. La paroi latérale peut être ensuite retirée pour former un nano-intervalle entre la première partie de formation d'électrode la seconde partie de formation d'électrode.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)