WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2015028838) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/028838    International Application No.:    PCT/IB2013/002209
Publication Date: 05.03.2015 International Filing Date: 27.08.2013
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West Austin, Texas 78735 (US) (For All Designated States Except US).
STEFANOV, Evgueniy [FR/FR]; (FR) (US only).
DE FRESART, Edouard [US/US]; (US) (US only).
DUPUY, Philippe [FR/FR]; (FR) (US only)
Inventors: STEFANOV, Evgueniy; (FR).
DE FRESART, Edouard; (US).
DUPUY, Philippe; (FR)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device (100) comprises a first contact layer (102), a first drift layer (106) adjacent the first contact layer (102), a buried body layer (108) adjacent the first drift layer (106) and a second contact layer (112). A first vertical trench (114) and a second vertical trench (116) are provided, the first and second vertical trenches (114, 116, 118, 120) being spaced with respect to each other and extending from the second contact layer (112) to substantially beyond the buried body layer (108). A second drift layer (110) is also provided and sandwiched between the buried body layer (108) and the second contact layer (112).
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif à semi-conducteurs (100) qui comprend une première couche de contact (102), une première couche de dérive ((106) adjacente à la première couche de contact (102), une couche de corps enfouie (108) adjacente à la première couche de dérive (106) et une seconde couche de contact (112). Une première tranchée verticale (114) et une seconde tranchée verticale (116) sont formées, les première et seconde tranchées verticales (114, 116, 118, 120) étant espacées l'une de l'autre et s'étendant depuis la seconde couche de contact (112) sensiblement au-delà de la couche de corps enfouie (108). Une seconde couche de dérive (110) est également formée et prise en sandwich entre la couche de corps enfouie (108) et la seconde couche de contact (112).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)