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1. (WO2015028181) METHOD FOR OPTIMIZING THE IMPEDANCE OF A CONNECTION ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/028181    International Application No.:    PCT/EP2014/064600
Publication Date: 05.03.2015 International Filing Date: 08.07.2014
IPC:
H03H 7/38 (2006.01)
Applicants: ENDRESS+HAUSER GMBH+CO. KG [DE/DE]; Hauptstr. 1 79689 Maulburg (DE)
Inventors: BLÖDT, Thomas; (CH)
Agent: ANDRES, Angelika; (DE)
Priority Data:
10 2013 109 463.5 30.08.2013 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR OPTIMIERUNG DER IMPEDANZ EINES VERBINDUNGSELEMENTS
(EN) METHOD FOR OPTIMIZING THE IMPEDANCE OF A CONNECTION ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ D'OPTIMISATION DE L'IMPÉDANCE D'UN ÉLÉMENT DE LIAISON
Abstract: front page image
(DE)Verfahren zur Optimierung der Impedanz eines Verbindungselements (2) zwischen einer ersten Baugruppe (E1) und einer zweiten Baugruppe (E2) einer Hochfrequenz- Vorrichtung, insbesondere eines Feldgeräts, wobei die erste Baugruppe (E1) und die zweite Baugruppe (E2) mindestens zwei Pegelzustände (Z1, Z2,...) aufweisen, wobei das Verbindungselement (2) eine Eingangsimpedanz (8C) und eine Ausgangsimpedanz (8D) aufweist, wobei die erste Baugruppe (E1 ) in jedem der mindestens zwei Pegelzustände (Z1, Z2,...) jeweils eine Impedanz (8B_1, 8B_2,...) der ersten Baugruppe (E1) aufweist, wobei die zweite Baugruppe (E2) in jedem der mindestens zwei Pegelzustände (Z1, Z2,...) jeweils eine Impedanz (8E_1, 8E_2,...) der zweiten Baugruppe (E2) aufweist, umfassend die Schritte, Bestimmen von jeweils einem Betrag (TA1_1, TA1_2,...) einer Differenz (ΔΤΑ1_1, ΔΤΑ1_2,...) der ersten Baugruppe (E1) zwischen der komplex konjugierten Eingangsimpedanz (8C*) und der jeweils einen Impedanz (8B_1, 8B_2,...) der ersten Baugruppe (E1), Bestimmen von jeweils einem Betrag (TA2_1, TA2_2,...) einer Differenz (ΔΤΑ2_1, ΔΤΑ2_2,...) der zweiten Baugruppe (E2) zwischen der komplex konjugierten Ausgangsimpedanz (8D*) und der jeweils einen Impedanz (8E_1, 8E_2,...) der zweiten Baugruppe (E1), gleichzeitiges Minimieren der jeweiligen Beträge (TA1_1, TA1_2,...,TA2_1, TA2_2,...) der ersten Baugruppe (E1) und zweiten Baugruppe (E2) bezüglich der Ein- und Ausgangsimpedanz (8C, 8D) des Verbindungselements (2).
(EN)The invention relates to a method for optimizing the impedance of a connection element (2) between a first module (E1) and a second module (E2) of a high-frequency device, in particular a field device, wherein the first module (E1) and the second module (E2) have at least two level states (Z1, Z2, ...) wherein the connection element (2) exhibits an input impedance (8C) and an output impedance (8D), wherein for each of the at least two level states (Z1, Z2, ...) the first module (E1) exhibits one impedance (8B_1, 8B_2, ...) of the first module (E1), and wherein for each of the at least two level states (Z1, Z2, ...) the second module (E2) exhibits one impedance (8E_1, 8E_2, ...) of the second module (E2). Said method comprises the following steps: determining one absolute value (TA1_1, TA1_2, ...) of a difference (ΔΤΑ1_1, ΔΤΑ1_2, ...) of the first module (E1) between the complex conjugated input impedance (8C*) and the corresponding one impedance (8B_1, 8B_2, ...) of the first module (E1); determining one absolute value (TA2_1, TA2_2, ...) of a difference (ΔΤΑ2_1, ΔΤΑ2_2,...) of the second module (E2) between the complex conjugated output impedance (8D*) and the corresponding one impedance (8E_1, 8E_2, ...) of the second module (E1); and simultaneously minimizing the corresponding absolute values (TA1_1, TA1_2, ..., TA2_1, TA2_2, ...) of the first module (E1) and the second module (E2) as regards the input and the output impedance (8C, 8D) of the connection element (2).
(FR)L'invention concerne un procédé d'optimisation de l'impédance d'un élément de liaison (2) entre un premier module (E1) et un second module (E2) d'un dispositif à haute fréquence, notamment un appareil de terrain, le premier module (E1) et le second module (E2) comprenant au moins deux états de niveau (Z1, Z2, ...), l'élément de liaison (2) ayant une impédance d'entrée (8C) et une impédance de sortie (8D), le premier module (E1) ayant dans chacun des au moins deux états de niveau (Z1, Z2, ...) une impédance (8B_1, 8B_2, ...) dudit premier module (E1), le second module (E2) ayant dans chacun des au moins deux états de niveau (Z1, Z2, ...) une impédance (8E_1, 8E_2, ...) du second module (E2), ledit procédé comprenant les étapes consistant à : déterminer à chaque fois une valeur (TA1_1, TA1_2, ...) d'une différence (ΔΤΑ1_1, ΔΤΑ1_2, ...) du premier module (E1) entre l'impédance d'entrée complexe conjuguée (8C*) et l' impédance (8B_1, 8B_2, ...) respective du premier module (E1), déterminer à chaque fois une valeur (TA2_1, TA2_2, ...) d'une différence (ΔΤΑ2_1, ΔΤΑ2_2, ...) du second module (E2) entre l'impédance de sortie complexe conjuguée (8D*) et l'impédance (8E_1, 8E_2, ...) respective du second module (E1), tout en minimisant les valeurs respectives (TA1_1, TA1_2, ..., TA2_1, TA2_2, ...) du premier module (E1) et du second module (E2) par rapport aux impédances d'entrée et de sortie (8c, 8d) de l'élément de liaison (2).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)