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1. (WO2015027654) METHOD FOR PREPARING GALLIUM NITRIDE-BASED HIGH-VOLTAGE LIGHT-EMITTING DIODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/027654    International Application No.:    PCT/CN2013/091112
Publication Date: 05.03.2015 International Filing Date: 31.12.2013
IPC:
H01L 33/14 (2010.01)
Applicants: WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. [CN/CN]; No. 180-22, Linghu Road, Taihu International Science and Technology Park Wuxi, Jiangsu 214135 (CN)
Inventors: WANG, Qiang; (CN).
WANG, Lei; (CN).
LI, Guoqi; (CN).
TU, Zhaolian; (CN)
Agent: BEYOND ATTORNEYS AT LAW; F6, Xijin Centre 39 Lianhuachi East Rd., Haidian District Beijing 100036 (CN)
Priority Data:
201310390690.1 29.08.2013 CN
Title (EN) METHOD FOR PREPARING GALLIUM NITRIDE-BASED HIGH-VOLTAGE LIGHT-EMITTING DIODE
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE À HAUTE TENSION À BASE DE NITRURE DE GALLIUM
(ZH) 一种氮化镓基高压发光二极管的制作方法
Abstract: front page image
(EN)A method for preparing a gallium nitride-based high-voltage light-emitting diode comprises: sequentially forming an N-type gallium nitride buffer layer (42), an N-type gallium nitride layer (43), a multi-quantum well layer (44), and a P-type gallium nitride layer (45) on a substrate (41); performing patterning to form an N-type gallium nitride platform; performing photoetching and deep trench etching until a trench is formed on a surface of the substrate; forming an isolation layer (47), and patterning the isolation layer to expose part of the P-type gallium nitride layer and the N-type gallium nitride layer; forming a conducting layer (46) on part of the exposed P-type gallium nitride layer; and sequentially forming an electrode layer (48) and a passivation layer (49). In the preparation method, deep trench etching is performed and an isolation layer is formed first, and then a conducting layer is formed, thereby ensuring that after the conducting layer is grown and formed, the conducting layer is prevented from being affected by deep trench etching and factors such as a temperature, growth time and a chemical reaction during the formation of the isolation layer, and further, ensuring the quality of a conducting layer film, and avoiding the exception of the electrical resistivity of the conducting layer.
(FR)La présente invention concerne un procédé de préparation de diode électroluminescente à haute tension à base de nitrure de gallium. Ledit procédé comprend : la formation séquentielle d'une couche tampon de nitrure de gallium de type N (42), d'une couche de nitrure de gallium de type N (43), d'une couche à puits quantiques multiples (44), et d'une couche de nitrure de gallium de type P (45) sur un substrat (41) ; la réalisation d'une mise en configuration pour former une plateforme de nitrure de gallium de type N ; la réalisation d'une photo-gravure et d'une gravure à tranchée profonde jusqu'à ce qu'une tranchée soit formée sur une surface du substrat ; la formation d'une couche d'isolation (47), et la mise en configuration de la couche d'isolation pour exposer une partie de la couche de nitrure de gallium de type P et de la couche de nitrure de gallium de type N ; la formation d'une couche conductrice (46) sur une partie de la couche de nitrure de gallium de type P exposée ; et la formation séquentielle d'une couche électrode (48) et d'une couche de passivation (49). Dans le procédé de préparation, la gravure à tranchée profonde est réalisée et une couche d'isolation est formée en premier, et puis une couche conductrice est formée, ainsi garantissant que, après que la couche conductrice est développée et formée, la couche conductrice soit empêchée d'être affectée par la gravure à tranchée profonde et des facteurs tels qu'une température, un temps de développement et une réaction chimique durant la formation de la couche d'isolation, et en outre garantissant la qualité d'un film de couche conductrice, et évitant l'exception de la résistivité électrique de la couche conductrice.
(ZH)一种氮化镓基高压发光二极管的制作方法,包含:在衬底(41)上依次形成N型氮化镓缓冲层(42)、N型氮化镓层(43)、多量子阱层(44)以及P型氮化镓层(45);进行图案化以形成N型氮化镓平台;进行光刻和深沟刻蚀直至衬底的表面以形成沟槽;形成隔离层(47),对隔离层进行图案化以露出部分P型氮化镓层和N型氮化镓层;在露出的部分P型氮化镓层上形成导电层(46);依次形成电极层(48)和钝化层(49)。该制作方法通过先进行深沟刻蚀和形成隔离层,再形成导电层,保证了导电层生长形成后没有受到深沟刻蚀和在形成隔离层的过程中的温度、生长时间、化学反应等因素的影响,从而保证了导电层薄膜的质量,避免了导电层的电阻率的异常。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)