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1. (WO2015027532) ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE ANODE CONNECTION STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2015/027532    International Application No.:    PCT/CN2013/082954
Publication Date: 05.03.2015 International Filing Date: 04.09.2013
IPC:
H01L 51/52 (2006.01), H01L 51/56 (2006.01), H01L 27/32 (2006.01)
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; NO.9-2, Tangming Road, Guangming district of Shenzhen, Guangdong 518132 (CN)
Inventors: YANG, Tsungying; (CN)
Agent: COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 15E Shenkan Building, Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028 (CN)
Priority Data:
201310386378.5 29.08.2013 CN
Title (EN) ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE ANODE CONNECTION STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) STRUCTURE DE CONNEXION D'ANODE DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(ZH) 有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法
Abstract: front page image
(EN)An organic light emitting diode anode connection structure and manufacturing method thereof. The structure comprises a thin film transistor (20) and an anode (40) of the organic light emitting diode, the anode being arranged on the thin film transistor (20). The thin film transistor (20) comprises a low-temperature polycrystalline silicon layer (24) arranged on a substrate (22), a gate insulation layer (26) arranged on the low-temperature polycrystalline silicon layer (24), a gate electrode arranged on the gate insulation layer (26), a protection layer (27) arranged on the gate electrode, and a source / drain electrode (28) arranged on the protection layer (27). The anode (40) of the organic light emitting diode is connected to the low-temperature polycrystalline silicon layer (24). By directly connecting the anode of the organic light emitting diode to the low-temperature polycrystalline silicon layer of the thin film transistor, the separation between two adjacent switch thin film transistors can be effectively reduced, the number of pixels per unit area (per inch) can be increased, and the resolution of a panel using the organic light emitting diode anode connection structure can be increased.
(FR)La présente invention concerne une structure de connexion d'anode de diode électroluminescente organique et un procédé de fabrication associé. La structure comprend un transistor à film mince (20) et une anode (40) de la diode électroluminescente organique, l'anode étant agencée sur le transistor à film mince (20). Le transistor à film mince (20) comprend une couche de silicium polycristallin à basse température (24) agencée sur un substrat (22), une couche d'isolation de grille (26) agencée sur la couche de silicium polycristallin à basse température (24), une électrode grille agencée sur la couche d'isolation de grille (26), une couche de protection (27) agencée sur l'électrode grille, et une électrode source/drain (28) agencée sur la couche de protection (27). L'anode (40) de la diode électroluminescente organique est connectée à la couche de silicium polycristallin à basse température (24). En connectant directement l'anode de la diode électroluminescente organique à la couche de silicium polycristallin à basse température du transistor à film mince, la séparation entre deux transistors à film mince de commutateurs adjacents peut être réduite efficacement, le nombre de pixels par superficie unitaire (par pouce) peut être augmenté, et la résolution d'un écran qui utilise la structure de connexion d'anode de diode électroluminescente organique peut être augmentée.
(ZH)一种有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法,该结构包括:薄膜晶体管(20)及位于薄膜晶体管(20)上的有机发光二极管的阳极(40),薄膜晶体管(20)包括位于基板(22)上的低温多晶硅层(24)、位于低温多晶硅层(24)上的栅极绝缘层(26)、位于栅极绝缘层(26)上的栅极、位于栅极上的保护层(27)及位于保护层(27)上的源/漏极(28),有机发光二极管的阳极(40)连接于低温多晶硅层(24)上。通过将有机发光二极管阳极直接连接于薄膜晶体管的低温多晶硅层,有效减小相邻两开关薄膜晶体管之间的间距,提高了单位面积(每英寸)内像素的数量,提升了使用该有机发光二极管阳极连接结构的面板的解析度。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Chinese (ZH)
Filing Language: Chinese (ZH)