(EN) The present invention relates to a MoS2 thin film and a method for manufacturing the same. The present invention provides a MoS2 thin film and a method for manufacturing the same by an atomic layer deposition method. In particular, the MoS2 thin film is manufactured by an atomic layer deposition method without using a toxic gas such as H2S as a sulfur precursor. Thus, the present invention is eco-friendly. Furthermore, it is possible to prevent manufacturing equipment from being damaged and contaminated during the manufacturing process. In addition, it is possible to manufacture the MoS2 thin film by precisely adjusting the thickness of the MoS2 thin film to the level of an atomic layer.
(FR) La présente invention concerne une couche mince de MoS2 et un procédé de fabrication de celle-ci. La présente invention concerne une couche mince de MoS2 et un procédé de fabrication de celle-ci par un procédé de dépôt de couche atomique. En particulier, la couche mince de MoS2 est fabriquée par un procédé de dépôt de couche atomique sans utiliser un gaz toxique tel que H2S en tant que précurseur de soufre. Par conséquent, la présente invention est respectueuse de l’environnement. De plus, il est possible d’éviter d’endommager et contaminer l’équipement de fabrication au cours du processus de fabrication. De plus, il est possible de fabriquer la couche mince de MoS2 en ajustant précisément l’épaisseur de la couche mince de MoS2 au niveau d’une couche atomique.
(KO) 본 발명은 MoS2 박막 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 MoS2 박막 및 이의 제조방법은 MoS2 박막을 원자층증착법에 의하여 제공하는 것이다. 특히 원자층증착법에 의하면서도 H2S와 같은 유독 가스를 황 전구체로 사용하지 않기 때문에 친환경적이다. 또한 제조 과정에서 제조 장비의 손상 및 오염을 방지할 수 있다. 또한 MoS2 박막의 두께를 원자층 수준에서 정교하게 조절하여 제조하는 것이 가능하다.