Some content of this application is unavailable at the moment.
If this situation persist, please contact us atFeedback&Contact
1. (WO2015010825) METHOD FOR IMPROVING THE ELECTRICAL CONDUCTIVITY OF METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYERS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau

Pub. No.: WO/2015/010825 International Application No.: PCT/EP2014/062120
Publication Date: 29.01.2015 International Filing Date: 11.06.2014
IPC:
H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29
Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
66
Types of semiconductor device
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29
Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; Capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof
66
Types of semiconductor device
68
controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified, or switched
76
Unipolar devices
772
Field-effect transistors
78
with field effect produced by an insulated gate
786
Thin-film transistors
Applicants:
IMEC VZW [BE/BE]; Kapeldreef 75 B-3001 Leuven, BE
NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO [NL/NL]; Anna Van Buerenplein 1 2595 DA 's-Gravenhage, NL
KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN [BE/BE]; KU Leuven R&D Waaistraat 6 – box 5105 B-3000 Leuven, BE
Inventors:
NAG, Manoj; BE
BHOOLOKAM, Ajay Sampath; BE
MÜLLER, Johann; BE
Agent:
BIRD GOËN & CO; Gaston Geenslaan 9 B-3001 Heverlee, BE
Priority Data:
13177735.124.07.2013EP
Title (EN) METHOD FOR IMPROVING THE ELECTRICAL CONDUCTIVITY OF METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYERS
(FR) PROCÉDÉ POUR AMÉLIORER LA CONDUCTIVITÉ ÉLECTRIQUE DE COUCHES DE SEMI-CONDUCTEUR D’OXYDE MÉTALLIQUE
Abstract:
(EN) The present disclosure provides a method for improving the electrical conductivity of a metal oxide semiconductor layer at predetermined locations. The method comprises: providing on a substrate a metal oxide semiconductor layer; providing by means of Atomic Layer Deposition a metal oxide layer on top of the metal oxide semiconductor layer, wherein the metal oxide layer is in physical contact with the metal oxide semiconductor layer at the predetermined locations. It was surprisingly found that this method results in an increased electrical conductivity of the metal oxide semiconductor layer at the predetermined locations. The method of the present disclosure can advantageously be used in a fabrication process for self-aligned top- gate metal oxide semiconductor thin film transistors, for improving the electrical conductivity in the source and drain regions.
(FR) La présente invention porte sur un procédé pour améliorer la conductivité électrique d’une couche de semi-conducteur d’oxyde métallique au niveau d'emplacements prédéterminés. Le procédé comprend : la fourniture sur un substrat d’une couche de semi-conducteur d’oxyde métallique ; la fourniture au moyen d’un dépôt de couche atomique d’une couche d’oxyde métallique sur le dessus de la couche de semi-conducteur d’oxyde métallique, la couche d’oxyde métallique étant en contact physique avec la couche de semi-conducteur d’oxyde métallique au niveau des emplacements prédéterminés. Il a été trouvé avec surprise que ce procédé conduit à une conductivité électrique améliorée de la couche de semi-conducteur d’oxyde métallique au niveau des emplacements prédéterminés. Le procédé selon la présente invention peut être avantageusement utilisé dans un processus de fabrication pour des transistors en couches minces à semi-conducteurs d’oxyde métallique à grille supérieure auto-alignée, pour améliorer la conductivité électrique dans les régions de source et drain.
front page image
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)
Also published as:
CN105409003KR1020160034262JP2016527719