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1. (WO2014209624) NAND FLASH WORD LINE MANAGEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2014/209624 International Application No.: PCT/US2014/042112
Publication Date: 31.12.2014 International Filing Date: 12.06.2014
IPC:
G11C 29/00 (2006.01) ,G11C 16/04 (2006.01)
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
29
Checking stores for correct operation; Testing stores during standby or offline operation
G PHYSICS
11
INFORMATION STORAGE
C
STATIC STORES
16
Erasable programmable read-only memories
02
electrically programmable
04
using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
Applicants:
SANDISK TECHNOLOGIES INC. [US/US]; Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, TX 75024, US
Inventors:
BERCKMANN, Tucker, Dean; US
AHWAL, Talal; US
YURZOLA, Damian; US
DHAKSHINAMURTHY, Krishnamurthy; US
PENG, Yong; US
NAGABHIRAVA, Rajeev; US
HARY, Arjun; US
HELLER, Tal; US
ELI, Yigal; US
Agent:
MAGEN, Burt; Vierra Magen Marcus LLP 575 Market Street, Suite 3750 San Francisco, CA 94105, US
Priority Data:
13/930,25128.06.2013US
Title (EN) NAND FLASH WORD LINE MANAGEMENT
(FR) GESTION DE LIGNE DE MOTS DE MÉMOIRE FLASH NAND
Abstract:
(EN) Methods for improving NAND flash memory yields by identifying memory blocks with benign word line defects are described. Memory blocks including word line defects may be classified as incomplete memory blocks and may be used for storing data fragments. A data fragment may correspond with data written into memory cells associated with one or more contiguous word lines within a memory block that does not include a bad word line. In some cases, firmware associated with a NAND flash memory device may identify one or more data fragments based on the location of bad word lines within a memory block. A word line defect may be considered a benign defect if the defect does not prevent memory cells connected to other word lines within a memory block from being programmed and/or read reliably.
(FR) L'invention concerne des procédés pour améliorer le rendement de mémoires flash NAND en identifiant des blocs mémoire comportant des défauts de lignes de mots bénins. Des blocs mémoire comportant des défauts de lignes de mots peuvent être classés en tant que blocs mémoire incomplets et utilisés pour stocker des fragments de données. Un fragment de données peut correspondre à des données écrites dans des cellules de mémoire associées à une ou plusieurs lignes de mots contigües à l'intérieur d'un bloc mémoire exempt de lignes de mots défectueuses. Dans certains cas, un micrologiciel associé à une mémoire flash NAND peut identifier un ou plusieurs fragments de données d'après la position de lignes de mots défectueuses à l'intérieur d'un bloc mémoire. Un défaut de ligne de mots peut être considéré comme bénin s'il n'empêche pas des cellules de mémoire connectées à d'autres ligne de mots à l'intérieur d'un bloc mémoire d'être programmées et/ou lues de façon fiable.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)