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1. (WO2014209618) NON-INTRUSIVE MEASUREMENT OF A WAFER DC SELF-BIAS IN SEMICONDUCTOR PROCESSING EQUIPMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/209618    International Application No.:    PCT/US2014/041999
Publication Date: 31.12.2014 International Filing Date: 11.06.2014
IPC:
H01L 21/683 (2006.01), H01L 21/66 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: BELOSTOTSKIY, Sergey G.; (US).
DINH, Chinh; (US).
NGUYEN, Andrew; (US).
CHAFIN, Michael G.; (US)
Agent: BERNADICOU, Michael A.; (US)
Priority Data:
61/839,181 25.06.2013 US
14/283,159 20.05.2014 US
Title (EN) NON-INTRUSIVE MEASUREMENT OF A WAFER DC SELF-BIAS IN SEMICONDUCTOR PROCESSING EQUIPMENT
(FR) MESURE NON INTRUSIVE D'AUTOPOLARISATION EN CC DE PLAQUETTE DANS UN ÉQUIPEMENT DE TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)A direct (DC) voltage is applied to an electrode at a voltage value to clamp a workpiece to an electrostatic chuck in a processing chamber. The electrode is embedded into the electrostatic chuck. An electrostatic chuck current through the electrode at the DC voltage is measured. A DC self bias induced on the workpiece by a plasma is determined based on the electrostatic chuck current and the applied voltage.
(FR)Selon l'invention, une tension continue (CC) est appliquée à une électrode à une valeur de tension pour serrer une pièce à usiner à un mandrin électrostatique dans une chambre de traitement. L'électrode est incorporée dans le mandrin électrostatique. Un courant de mandrin électrostatique à travers l'électrode à la tension en CC est mesuré. Une autopolarisation en CC induite sur la pièce à usiner par un plasma est déterminée sur la base du courant de mandrin électrostatique et de la tension appliquée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)