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1. (WO2014209404) INTERCONNECT STRUCTURE COMPRISING FINE PITCH BACKSIDE METAL REDISTRIBUTION LINES COMBINED WITH VIAS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/209404    International Application No.:    PCT/US2013/048792
Publication Date: 31.12.2014 International Filing Date: 29.06.2013
IPC:
H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01)
Applicants: INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventors: LEE, Kevin J.; (US).
JEONG, James Y.; (US).
CHANG, Hsiao-Kang; (US).
MUIRHEAD, John; (US).
TELANG, Adwait; (US).
PURI, Puneesh; (US).
KANG, Jiho; (US).
PATEL, Nitin M.; (US)
Agent: RICHARDS, II, E.E. "Jack"; Trop, Pruner & Hu P.C. 1616 S. Voss Rd., Ste. 750 Houston, Texas 77057-2631 (US)
Priority Data:
Title (EN) INTERCONNECT STRUCTURE COMPRISING FINE PITCH BACKSIDE METAL REDISTRIBUTION LINES COMBINED WITH VIAS
(FR) STRUCTURE D'INTERCONNEXION COMPRENANT DES LIGNES DE REDISTRIBUTION MÉTALLIQUES ARRIÈRE À PAS FIN COMBINÉES À DES TROUS D'INTERCONNEXION
Abstract: front page image
(EN)A 3D interconnect structure and method of manufacture are described in which metal redistribution layers (RDLs) are integrated with through-silicon vias (TSVs) and using a "plate through resist" type process flow. A silicon nitride or silicon carbide passivation layer may be provided between the thinned device wafer back side and the RDLs to provide a hermetic barrier and polish stop layer during the process flow.
(FR)L'invention concerne une structure d'interconnexion en 3D et un procédé de fabrication au cours duquel des couches métalliques de redistribution (RDL) sont intégrées avec des trous traversants d'interconnexion en silicium (TSV) et au moyen d'un enchaînement d'opérations du type "agent photorésistant traversant une plaque". Une couche de passivation au nitrure de silicium ou au carbure de silicium peut être présente entre l'arrière de la tranche amincie du dispositif et les couches métalliques de redistribution pour fournir une barrière hermétique et polir la couche d'arrêt pendant l'enchaînement des opérations.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)