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1. (WO2014208943) PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/208943    International Application No.:    PCT/KR2014/005499
Publication Date: 31.12.2014 International Filing Date: 23.06.2014
IPC:
C23C 16/509 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Applicants: SNTEK CO., LTD. [KR/KR]; 1433-100, Seobu-ro, Gwonseon-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do 441-813 (KR)
Inventors: AN, Kyoung Joon; (KR).
KWON, O Dae; (KR)
Agent: IAM PATENT & LAW FIRM; (Hyejeon Bldg, Yeoksam-dong) 402, 224 Bongeunsa-ro, Gangnam-gu, Seoul 135-080 (KR)
Priority Data:
10-2013-0075406 28.06.2013 KR
10-2013-0098377 20.08.2013 KR
Title (EN) PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTÉ PAR PLASMA
(KO) 플라즈마 화학기상 장치
Abstract: front page image
(EN)The present invention relates to a plasma chemical vapor deposition device, comprising: a vacuum chamber having a plurality of vacuum spaces which are partitioned so as to be independent from each other; a vacuum control unit for controlling the degrees of vacuum for the vacuum spaces; circular electrodes which are rotationally provided in each vacuum space one by one in the shape where at least a part of each outer circumferential surface is positioned in each vacuum space, and of which the outer circumferential surfaces are surrounded with a base material; at least one magnetic field generating member for forming a magnetic field toward the base material surrounding each circular electrode; and a gas supply unit for supplying a process gas to the inside of the vacuum spaces. Thus, provided is the plasma chemical vapor deposition device which can independently and continuously perform a plurality of processes and can obtain process stability and quality improvement even in a high-speed process.
(FR)La présente invention porte sur un dispositif de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, comprenant : une chambre à vide ayant une pluralité d'espaces sous vide qui sont cloisonnés afin d'être indépendants les uns des autres ; une unité de réglage de vide permettant de régler les degrés de vide pour les espaces sous vide ; des électrodes circulaires qui sont disposées de façon tournante dans chaque espace sous vide une par une en la forme où au moins une partie de chaque surface circonférentielle est disposée dans chaque espace sous vide et dont les surfaces circonférentielles sont entourées d'un matériau de base ; au moins un élément produisant un champ magnétique servant à générer un champ magnétique en direction du matériau de base entourant chaque électrode circulaire ; et une unité d'apport de gaz servant à apporter un gaz de traitement à l'intérieur des espaces sous vide. Ainsi, le dispositif de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma selon l'invention permet d'effectuer indépendamment et en continu une pluralité de traitements et permet d'obtenir une stabilité de traitement et une amélioration de qualité même dans des traitements à haute vitesse.
(KO)본 발명은 플라즈마 화학기상 장치에 관한 것으로서, 상호 구획되어 독립된 복수의 진공공간을 갖는 진공챔버; 상기 진공공간들의 진공도를 조절하는 진공조절부; 적어도 일부의 외주면이 상기 각 진공공간에 위치하는 형태로 상기 각 진공공간에 회전 가능하게 하나씩 설치되고, 상기 외주면에 기재가 감아 도는 원형전극; 상기 각 원형전극을 감아 도는 상기 기재 측으로 자기장을 형성하는 적어도 하나의 자기장 발생부재; 상기 진공공간들 내부로 공정 가스를 공급하는 가스공급부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 복수의 공정을 독립적이면서 연속적으로 수행할 수 있으며, 고속 공정에서도 공정 안정성과 품질 향상을 확보할 수 있는 플라즈마 화학기상 장치가 제공된다.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Korean (KO)
Filing Language: Korean (KO)