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1. (WO2014208050) SWITCHING ELEMENT, SWITCHING ELEMENT MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/208050    International Application No.:    PCT/JP2014/003247
Publication Date: 31.12.2014 International Filing Date: 17.06.2014
IPC:
H01L 27/105 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/82 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Applicants: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1,Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP)
Inventors: BANNO, Naoki; (JP).
TADA, Munehiro; (JP)
Agent: SHIMOSAKA, Naoki; (JP)
Priority Data:
2013-134426 27.06.2013 JP
Title (EN) SWITCHING ELEMENT, SWITCHING ELEMENT MANUFACTURING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) ÉLÉMENT COMMUTATEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT COMMUTATEUR, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) スイッチング素子とその製造方法および半導体装置とその製造方法
Abstract: front page image
(EN)In order to provide a switching element having excellent operational stability and a high production yield, and a semiconductor device using the switching element, this switching element has: a non-volatile variable resistance element, which has a first electrode, a second electrode, and a non-volatile variable resistance layer that is provided between the first electrode and the second electrode; and a rectifying element, which has the second electrode, a third electrode, and a volatile variable resistance layer that is provided between the second electrode and the third electrode. The switching element also has an insulating material at least on a side surface of the third electrode.
(FR)Afin de fournir un élément commutateur ayant une excellente stabilité opérationnelle et un haut rendement de production, et un dispositif semi-conducteur utilisant l'élément commutateur, l'élément commutateur selon la présente invention comprend : un élément à résistance variable non volatil, lequel comprend une première électrode, une deuxième électrode et une couche à résistance variable non volatile qui est disposée entre la première et la seconde électrode ; et un élément redresseur, lequel comprend la deuxième électrode, une troisième électrode et une couche à résistance variable volatile qui est disposée entre la deuxième et la troisième électrode. L'élément commutateur comprend aussi un matériau isolant au moins sur une surface latérale de la troisième électrode.
(JA)動作安定性に優れ製造歩留りの高いスイッチング素子およびこれを用いた半導体装置を提供するために、本発明のスイッチング素子は、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた不揮発抵抗変化層とを有する不揮発抵抗変化素子と、前記第2電極と、第3電極と、前記第2電極と前記第3電極との間に設けられた揮発抵抗変化層を有する整流素子と、を有し、少なくとも前記第3電極の側面に絶縁物を有する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)