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1. (WO2014208049) METHOD FOR PROGRAMMING SWITCHING ELEMENTS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/208049    International Application No.:    PCT/JP2014/003246
Publication Date: 31.12.2014 International Filing Date: 17.06.2014
IPC:
G11C 13/00 (2006.01)
Applicants: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1,Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP)
Inventors: TADA, Munehiro; (JP)
Agent: SHIMOSAKA, Naoki; (JP)
Priority Data:
2013-131263 24.06.2013 JP
Title (EN) METHOD FOR PROGRAMMING SWITCHING ELEMENTS
(FR) PROCÉDÉ DE PROGRAMMATION D'ÉLÉMENTS DE COMMUTATION
(JA) スイッチング素子のプログラム方法
Abstract: front page image
(EN)In order to ensure high reliability for switching elements and facilitate higher densities thereof, the present invention provides a method for programming switching elements, said method comprising: programming a switching element by applying a first pulse voltage to a first electrode or a second electrode so as to increase or decrease the resistance value (R) of a variable resistance film; verifying by measuring the resistance value (R) and determining whether the measured resistance value (R) is a desired value; and reprogramming the switching element when the resistance value (R) is not the desired value by applying a second pulse voltage having the same polarity as the first pulse voltage to the same electrode that the first pulse voltage was applied to on the basis of the resistance value (R).
(FR)Afin de garantir une fiabilité élevée pour des éléments de commutation et faciliter des densités supérieures de ceux-ci, la présente invention porte sur un procédé de programmation d'éléments de commutation, ledit procédé comprenant : programmer un élément de commutation par l'application d'une première tension d'impulsion à une première électrode ou une seconde électrode de manière à accroître ou décroître la valeur de résistance (R) d'un film de résistance variable ; vérifier par la mesure de la valeur de résistance (R) et déterminer si la valeur de résistance (R) mesurée est une valeur désirée ; et reprogrammer l'élément de commutation lorsque la valeur de résistance (R) n'est pas la valeur désirée par l'application d'une seconde tension d'impulsion ayant la même polarité que la première tension d'impulsion à la même électrode que celle à laquelle la première tension d'impulsion a été appliquée sur la base de la valeur de résistance (R).
(JA)スイッチング素子の高信頼化と高密度化を実現するために、本発明のスイッチング素子のプログラム方法は、第1のパルス電圧を第1電極あるいは第2電極に与えることで抵抗変化膜の抵抗値Rを増減させるプログラムをし、前記抵抗値Rを測定し、前記測定された前記抵抗値Rが所望の値であるか否かを判定するベリファイをし、前記抵抗値Rが所望の値でない場合に、前記抵抗値Rに基づいて前記第1のパルス電圧と同じ極性の第2のパルス電圧を、前記第1のパルス電圧と同じ電極に与える再プログラムをする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)