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1. (WO2014208007) METHOD FOR EVALUATING CRYSTAL GRAIN SIZE DISTRIBUTION OF POLYCRYSTALLINE SILICON
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/208007    International Application No.:    PCT/JP2014/002925
Publication Date: 31.12.2014 International Filing Date: 03.06.2014
IPC:
G01N 23/207 (2006.01), C01B 33/02 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01)
Applicants: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventors: MIYAO, Shuichi; (JP).
NETSU, Shigeyoshi; (JP)
Agent: OHNO, Seiji; OHNO & PARTNERS, Marunouchi Kitaguchi Building 21F, 6-5, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Priority Data:
2013-134123 26.06.2013 JP
Title (EN) METHOD FOR EVALUATING CRYSTAL GRAIN SIZE DISTRIBUTION OF POLYCRYSTALLINE SILICON
(FR) PROCÉDÉ POUR ÉVALUER LA DISTRIBUTION DES TAILLES DES GRAINS CRISTALLINS DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
(JA) 多結晶シリコンの結晶粒径分布の評価方法
Abstract: front page image
(EN)In the evaluation of the crystal grain size distribution of polycrystalline silicon using X-ray crystallography, a collected discoid sample (20) is disposed in a position where Bragg reflection from a Miller index plane is detected, the discoid sample is rotated within a plane by a rotation angle ø with the center of the discoid sample (20) as the center of rotation such that an X-ray irradiation region defined by a slit ø scan the main surface of the discoid sample (20), a chart indicating the dependence of the Bragg reflection strength on the rotation angle (ø) of the discoid sample (20) is sought, and the amount of diffraction-intensity change per unit rotation angle in the baseline of the φ scan chart is sought as a first-order derivative. Additionally, the amount of skew in the normal distribution of the absolute value of the amount of change is calculated, this skew is used as an evaluation index for the crystal grain size distribution, and polycrystalline silicon that is suitable as a raw material for use in the production of single-crystalline silicon is selected.
(FR)Lors de l'évaluation de la distribution des tailles des grains cristallins de silicium polycristallin à l'aide de cristallographie aux rayons X, un échantillon discoïde collecté (20) est disposé dans une position dans laquelle on détecte la réflexion de Bragg d'un plan d'indice de Miller <hkl>, l'échantillon discoïde est tourné dans un plan d'un angle de rotation ø, le centre de l'échantillon discoïde (20) étant le centre de rotation de manière telle qu'une région d'irradiation par les rayons X définie par une fente ø balaie la surface principale de l'échantillon discoïde (20), un diagramme indiquant la dépendance de l'intensité de la réflexion de Bragg de l'angle de rotation (ø) de l'échantillon discoïde (20) est recherché et la quantité de changement d'intensité de diffraction par angle de rotation unitaire dans la ligne de base du diagramme de balayage φ est recherchée comme dérivée de premier ordre. De plus, la quantité d'inclinaison dans la distribution normale de la valeur absolue de la quantité de changement est calculée, cette inclinaison est utilisée comme indice d'évaluation de la distribution des tailles des grains cristallins et le silicium polycristallin qui convient comme matière première destinée à être utilisée dans la production de silicium monocristallin est sélectionné.
(JA) 多結晶シリコンの結晶粒径分布をX線回折法により評価するにあたり、採取した円板状試料(20)をミラー指数面<hkl>からのブラッグ反射が検出される位置に配置し、スリットにより定められるX線照射領域が円板状試料(20)の主面上をφスキャンするように円板状試料(20)の中心を回転中心として回転角度φで面内回転させ、ブラッグ反射強度の円板状試料(20)の回転角度(φ)依存性を示すチャートを求め、さらに、該φスキャン・チャートのベースラインの回折強度の単位回転角度当たりの変化量を1次微分値で求める。そして、該変化量の絶対値を正規分布化した際の歪度を算出し、この歪度を結晶粒径分布の評価指標として用い、単結晶シリコン製造用原料として好適な多結晶シリコンを選択する。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)